GeneSiC Semiconductor MBR60060CT
| Produttore | |
| Cod. Prod. | MBR60060CT |
| Cod. LCSC | C6088149 |
| Imballo | - |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 1 Pair Common Cathode 600A 60V 800mV@300A Diode Arrays RoHS |
| Scheda Tecnica |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Diode Arrays | |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor | |
| Imballo | - | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 4kA | |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode | |
| Current - Rectified | 600A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 60V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 800mV@300A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1mA@20V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Diode Arrays | |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor | |
| Imballo | - | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 4kA | |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Rectified | 600A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 60V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 800mV@300A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1mA@20V |
Segnala un erroreMostra prodotti simili (0) >
Caratteristiche
Traduzione AI
- High surge capability
- Reverse repetitive peak voltage (VRRM) range: 45V ~ 100V
- Insensitive to ESD
- Dual in-line package
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 285.4821 | $ 285.48 |
| 200+ | $ 113.9095 | $ 22781.90 |
| 480+ | $ 110.1031 | $ 52849.49 |
| 1,000+ | $ 108.2226 | $ 108222.60 |
Package Standard40/Full Bag | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Diode Arrays | |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor | |
| Imballo | - | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 4kA | |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode | |
| Current - Rectified | 600A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 60V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 800mV@300A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1mA@20V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Diode Arrays | |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor | |
| Imballo | - | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 4kA | |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Rectified | 600A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Voltage - DC Reverse(Vr) | 60V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 800mV@300A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1mA@20V |
Segnala un erroreMostra prodotti simili (0) >
Caratteristiche
Traduzione AI
- High surge capability
- Reverse repetitive peak voltage (VRRM) range: 45V ~ 100V
- Insensitive to ESD
- Dual in-line package
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |

