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KTP IKW75N1200DH(KTP) product image
Immagini a scopo illustrativo

KTP IKW75N1200DH(KTP)RoHS

Produttore
KTPAsian Brands
Cod. Prod.
IKW75N1200DH(KTP)
Cod. LCSC
C54814926
Imballo
TO-247
Numero Cliente
Attr. chiave
520W 75A 1.2kV FS (Field Stop) TO-247 Single IGBTs RoHS
Scheda Tecnicapdf iconKTP IKW75N1200DH(KTP)
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
QtàPr. unit.(Solo per riferimento)Importo totale
1+$ 2.7337$ 2.5971$ 2.60
10+$ 2.3133$ 2.1977$ 21.98
30+$ 2.0503$ 1.9478$ 58.43
90+$ 1.7808$ 1.6918$ 152.26
360+$ 1.6591$ 1.5762$ 567.43
1,080+$ 1.6055$ 1.5253$ 1647.32
Package Standard30/Full Tube
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$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/IGBTs/Single IGBTs
ProduttoreKTP
ImballoTO-247
Td(off)452ns;520ns
Pd - Power Dissipation520W
Td(on)50ns;52ns
Current - Collector(Ic)75A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)52pF
IGBT TypeFS (Field Stop)
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)6V
Operating Temperature-40℃~+175℃
Vce Saturation(VCE(sat))1.85V;2.25V
Reverse Recovery Time(trr)120ns;230ns
Collector Cut-Off Current (Ices)20uA;5mA
Switching Energy(Eoff)1.8mJ;3.9mJ
Turn-On Energy (Eon)5.2mJ;8mJ
Input Capacitance(Cies)11nF
Output Capacitance(Coes)235pF
Gate Charge(Qg)505nC@15V
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