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Infineon FP35R12W2T4_B11 product image
Immagini a scopo illustrativo

Infineon FP35R12W2T4_B11RoHS

Produttore
Infineon
Cod. Prod.
FP35R12W2T4_B11
Cod. LCSC
C534031
Imballo
-
Numero Cliente
Attr. chiave
215W 35A 1.2kV FS (Field Stop) IGBT Modules RoHS
Scheda Tecnicapdf iconInfineon FP35R12W2T4_B11
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
QtàPr. unit.(Solo per riferimento)Importo totale
1+$ 108.4467$ 108.45
195+$ 41.9676$ 8183.68
495+$ 40.4933$ 20044.18
1,005+$ 39.7649$ 39963.72
Package Standard15/Full Tray
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/IGBTs/IGBT Modules
ProduttoreInfineon
Imballo-
Td(off)310ns
Pd - Power Dissipation215W
Td(on)25ns
Current - Collector(Ic)35A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)1.2kV
Reverse Transfer Capacitance (Cres)70pF
IGBT TypeFS (Field Stop)
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)6.4V
Gate Charge(Qg)270nC@15V
Vce Saturation(VCE(sat))2.25V
Reverse Recovery Time(trr)-
Switching Energy(Eoff)3.2mJ
Turn-On Energy (Eon)3.15mJ
Operating Temperature-40℃~+150℃
Input Capacitance(Cies)2nF
Output Capacitance(Coes)-
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