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DIODES ZXMHC10A07N8TC product image
Immagini a scopo illustrativo

DIODES ZXMHC10A07N8TCRoHS

Produttore
DIODES
Cod. Prod.
ZXMHC10A07N8TC
Cod. LCSC
C444962
Imballo
SO-8
Numero Cliente
Attr. chiave
MOSFET N-CH+P-CH ARR 100V 1A SO-8
Scheda Tecnicapdf iconDIODES ZXMHC10A07N8TC
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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QtàPr. unit.(Solo per riferimento)Importo totale
1+$ 1.3534$ 1.35
10+$ 1.3322$ 13.32
30+$ 1.3192$ 39.58
100+$ 1.3046$ 130.46
Package Standard2500/Full Reel
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays
ProduttoreDIODES
ImballoSO-8
Drain to Source Voltage100V
Current - Continuous Drain(Id)1A
RDS(on)1.45Ω@6V
Pd - Power Dissipation1.36W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2V
ConfigurationHalf-Bridge
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)6pF;10.8pF
Number2 N-Channel + 2 P-Channel
Input Capacitance(Ciss)138pF;141pF
Gate Charge(Qg)2.9nC@10V;3.5nC@10V
Operating Temperature-55℃~+150℃
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Descrizione

Traduzione AI

This new generation complementary MOSFET H-Bridge features low on-resistance achievable with low gate drive.

Caratteristiche

Traduzione AI
  • 2×N + 2×P channels in a SOIC package

Applicazioni

Traduzione AI
  • DC Motor control
  • DC-AC Inverters