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RENESAS NP60N04VUK-E1-AY
| Produttore | |
| Cod. Prod. | NP60N04VUK-E1-AY |
| Cod. LCSC | C3281229 |
| Imballo | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | N-channel MOSFET, Current: 60A, Voltage: 40V |
| Scheda Tecnica |  RENESAS NP60N04VUK-E1-AY |
| Parti alternative | 10 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | RENESAS | |
| Imballo | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Output Capacitance(Coss) | 510pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Pd - Power Dissipation | 105W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 260pF | |
| RDS(on) | 3.85mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.68nF | |
| Gate Charge(Qg) | 63nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | RENESAS | |
| Imballo | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Output Capacitance(Coss) | 510pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 105W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 260pF | |
| RDS(on) | 3.85mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.68nF | |
| Gate Charge(Qg) | 63nC@10V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
NP60N04VUK is an N-channel MOSFET designed for high-current switching applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Ultra-low on-resistance
- Low input capacitance (Ciss): typical Ciss = 2450 pF (VDS = 25 V)
- Designed for automotive applications, AEC-Q101 compliant
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.8117 | $ 0.81 |
| 200+ | $ 0.3148 | $ 62.96 |
| 500+ | $ 0.304 | $ 152.00 |
| 1,000+ | $ 0.2978 | $ 297.80 |
Package Standard2500/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | RENESAS | |
| Imballo | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Output Capacitance(Coss) | 510pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Pd - Power Dissipation | 105W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 260pF | |
| RDS(on) | 3.85mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.68nF | |
| Gate Charge(Qg) | 63nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | RENESAS | |
| Imballo | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Output Capacitance(Coss) | 510pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 105W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 260pF | |
| RDS(on) | 3.85mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.68nF | |
| Gate Charge(Qg) | 63nC@10V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
NP60N04VUK is an N-channel MOSFET designed for high-current switching applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Ultra-low on-resistance
- Low input capacitance (Ciss): typical Ciss = 2450 pF (VDS = 25 V)
- Designed for automotive applications, AEC-Q101 compliant
C3281229 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Confezione | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| STD120N4F6 | ST | DPAK | 1 | $ 0.9279 | ||
| HYG053N10NS1D | HUAYI | TO-252-2L | 1,963 | $ 0.5633 | ||
| TW80N06D | TWGMC | TO-252-2L | 300 | $ 0.2726 | ||
| 80N06 | HL | TO-252-3L | 12,950 | $ 0.1747 | ||
| IXTY90N055T2-VB | VBsemi Elec | TO-252 | 10 | $0.7387 $0.869 | ||
| BCD80N06 | baocheng | TO-252-4R | 8,295 | $0.2271 $0.239 | ||
| JMTK80N06A | Jiangsu JieJie Microelectronics | TO-252-4R | 4,650 | $ 0.2393 | ||
| NP60N04VLK-E1-AY | RENESAS | TO-252(MP-3ZP) | 0 | $ 0.8302 | ||
| NP60N04VDK-E1-AY | RENESAS | TO-252(MP-3ZP) | 0 | $ 0.8117 | ||
| IPD90N04S3-H4 | Infineon | TO-252-3 | 0 | $ 1.9927 |