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VISHAY SQ2398ES-T1_BE3
| Produttore | |
| Cod. Prod. | SQ2398ES-T1_BE3 |
| Cod. LCSC | C3280179 |
| Imballo | SOT-23-3(TO-236-3) |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | Automotive N-Channel 100V MOSFET, Current:1.67A, Breakdown Voltage:100V |
| Scheda Tecnica |  VISHAY SQ2398ES-T1_BE3 |
| Parti alternative | 10 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | SOT-23-3(TO-236-3) | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 28pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.67A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | 300mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 152pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | SOT-23-3(TO-236-3) | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 28pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.67A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | 300mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 152pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12nC@10V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Compliant with AEC-Q101 and supported by PPAP, it is ideally suited for: battery charging, power management functions, DC-DC converters, and load switching.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Trench field-effect transistor (TrenchFET) power MOSFET
- AEC-Q101 qualified
- 100% gate resistance (Rg) and unclamped inductive switching (UIS) tested
- RoHS compliant and halogen-free
- N-channel MOSFET
Applicazioni
Traduzione AI
- Battery Charging - Power Management Functions - DC-DC Converters - Load Switches
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.3057 | $ 0.31 |
| 200+ | $ 0.1183 | $ 23.66 |
| 500+ | $ 0.1142 | $ 57.10 |
| 1,000+ | $ 0.1121 | $ 112.10 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | SOT-23-3(TO-236-3) | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 28pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.67A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | 300mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 152pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | SOT-23-3(TO-236-3) | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 28pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.67A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | 300mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 152pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12nC@10V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Compliant with AEC-Q101 and supported by PPAP, it is ideally suited for: battery charging, power management functions, DC-DC converters, and load switching.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Trench field-effect transistor (TrenchFET) power MOSFET
- AEC-Q101 qualified
- 100% gate resistance (Rg) and unclamped inductive switching (UIS) tested
- RoHS compliant and halogen-free
- N-channel MOSFET
Applicazioni
Traduzione AI
- Battery Charging - Power Management Functions - DC-DC Converters - Load Switches
C3280179 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Confezione | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| HSS2N10A | HUASHUO | SOT-23 | 100 | $ 0.0327 | ||
| SQ2398ES-T1_GE3 | VISHAY | SOT-23 | 451 | $ 0.548 | ||
| CMN5N20 | Cmos | SOT-23-3L | 400 | $0.1028 $0.1082 | ||
| PMV213SN,215 | Nexperia | SOT-23 | 203 | $ 0.8384 | ||
| SI2392-TP | MCC | SOT-23 | 1,520 | $ 0.07 | ||
| SI2324DS-T1-GE3 | VISHAY | SOT-23 | 2,248 | $ 1.1684 | ||
| SL2328A | Slkor | SOT-23 | 1,210 | $0.0249 $0.0498 | ||
| 2SK1849-VB | VBsemi Elec | SOT-23(TO-236) | 20 | $0.1870 $0.2199 | ||
| LWT1H7AM | Lewa Micro | SOT-23 | 0 | $ 0.0647 | ||
| LWT1H6AM | Lewa Micro | SOT-23 | 0 | $ 0.0554 |