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RENESAS 2SK2511-A
| Fabricante | |
| Cód. da peça | 2SK2511-A |
| Nº LCSC | C3276646 |
| Emb. | - |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | N-Channel, Current:20A, Voltage:40V |
| Folha de Dados |  RENESAS 2SK2511-A |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | RENESAS | |
| Emb. | - | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 270pF | |
| RDS(on) | 40mΩ@4V | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.21nF | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | RENESAS | |
| Emb. | - | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 270pF | |
| RDS(on) | 40mΩ@4V | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.21nF | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC@10V | |
| Type | N-Channel |
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Recursos
Tradução por IA
- CPH6614 integrates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET, featuring low on-resistance and ultra-high-speed switching for high-density mounting.
- Excellent on-resistance characteristics.
- Ideal for use as a load switch.
- 4V drive.
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| 200+ | $ 1.128 | $ 225.60 |
| 500+ | $ 1.0894 | $ 544.70 |
| 1,000+ | $ 1.0693 | $ 1069.30 |
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | RENESAS | |
| Emb. | - | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 270pF | |
| RDS(on) | 40mΩ@4V | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.21nF | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | RENESAS | |
| Emb. | - | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 270pF | |
| RDS(on) | 40mΩ@4V | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.21nF | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC@10V | |
| Type | N-Channel |
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Recursos
Tradução por IA
- CPH6614 integrates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET, featuring low on-resistance and ultra-high-speed switching for high-density mounting.
- Excellent on-resistance characteristics.
- Ideal for use as a load switch.
- 4V drive.
C3276646 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |