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VBsemi Elec STH80N10F7-2-VBRoHS

Produttore
VBsemi ElecAsian Brands
Cod. Prod.
STH80N10F7-2-VB
Cod. LCSC
C19632167
Imballo
TO-263(D2PAK)
Numero Cliente
Attr. chiave
N-Channel 100-V(D-S) MOSFET
Scheda Tecnicapdf iconVBsemi Elec STH80N10F7-2-VB
Disponibile: 61
61 Pronta consegna
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
QtàPr. unit.Importo totale
1+$ 1.3652$ 1.2970$ 1.30
10+$ 1.1749$ 1.1162$ 11.16
30+$ 1.0707$ 1.0172$ 30.52
100+$ 0.8218$ 0.7808$ 78.08
500+$ 0.7697$ 0.7313$ 365.65
800+$ 0.7453$ 0.7081$ 566.48
Package Standard800/Full Reel
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProduttoreVBsemi Elec
ImballoTO-263(D2PAK)
Operating Temperature-55℃~+175℃
Drain to Source Voltage100V
Output Capacitance(Coss)665pF
Current - Continuous Drain(Id)100A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Pd - Power Dissipation250W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)265pF
RDS(on)23mΩ@4.5V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)6.55nF
Gate Charge(Qg)160nC@10V
TypeN-Channel
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Caratteristiche

Traduzione AI
  • Trench power MOSFET
  • Maximum junction temperature 175 °C
  • RoHS compliant with directive 2002/95/EC

Applicazioni

Traduzione AI
  • Mobile computing
  • Load switch
  • Notebook power adapter switch
  • DC/DC converter