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NCE NCE6525Q product image
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NCE NCE6525QRoHS

Fabricant
NCEAsian Brands
Réf. Fab.
NCE6525Q
Réf. LCSC
C19089467
Condit.
DFN-8L(3.3x3.3)
Numéro Client
Caract. clés
DFN-8L(3.3x3.3) Single FETs, MOSFETs RoHS
Fiche Techniquepdf iconNCE NCE6525Q
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Minimum: 1Multiple: 1Unité de vente: Piece
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QtéPrix unit.(Référence uniquement)Montant total
1+$ 0.515$ 0.52
200+$ 0.206$ 41.20
500+$ 0.1996$ 99.80
1,000+$ 0.1964$ 196.40
Boîtier Standard5000/Full Reel
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$

Spécifications du Produit

Tout
TypeDescription
CatégorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricantNCE
Condit.DFN-8L(3.3x3.3)

Description

Traduction par IA

NCE6525Q utilizes advanced trench technology and design to deliver excellent RDS(ON) with low gate charge. It is suitable for a wide range of applications.

Caractéristiques

Traduction par IA
  • VDS = 65V, ID = 25A
  • RDS(ON) < 20 mΩ (@ VGS = 10V)
  • RDS(ON) < 25 mΩ (@ VGS = 4.5V)
  • High-density cell design for ultra-low on-resistance
  • Fully characterized avalanche voltage and current
  • Excellent stability and consistency at high EAS
  • Superior thermally efficient package
  • Special process technology with high ESD capability

Applications

Traduction par IA
  • Power switching applications
  • Hard switching and high-frequency circuits
  • Uninterruptible power supplies