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NCE NCE65TF099TRoHS

Fabricante
NCEAsian Brands
Cód. da peça
NCE65TF099T
Nº LCSC
C502878
Emb.
TO-247
Número do Cliente
Atrib. princ.
MOSFET N-CH 650V 38A TO-247
Folha de Dadospdf iconNCE NCE65TF099T
Em estoque: 330
330 Em estoque, envio imediato
Mínimo: 1Múltiplo: 1Unidade de venda: Piece
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Qtd.Preço unit.Valor total
1+$ 3.2087$ 3.21
10+$ 2.6742$ 26.74
30+$ 2.3395$ 70.19
90+$ 1.9967$ 179.70
510+$ 1.8424$ 939.62
1,200+$ 1.7741$ 2128.92
Encapsulamento Padrão30/Full Tube
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$

Especificações do Produto

Tudo
TipoDescrição
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteNCE
Emb.TO-247
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage650V
Current - Continuous Drain(Id)38A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3.5V
Pd - Power Dissipation322W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)1.5pF
RDS(on)89mΩ@10V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)3.2nF
Gate Charge(Qg)55nC@10V
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Descrição

Tradução por IA

The series of devices use advanced trench gate super junction technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This super junction MOSFET fits the industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.

Recursos

Tradução por IA
  • Optimized body diode reverse recovery performance
  • Low on-resistance and low conduction losses
  • Small package
  • Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements
  • 100% Avalanche Tested
  • ROHS compliant

Aplicações

Tradução por IA
  • Power factor correction（PFC）
  • Switched mode power supplies(SMPS)
  • Uninterruptible Power Supply（UPS）
  • LLC Half-bridge