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Modelli EDAEasyEDA
onsemi FDB86135
| Produttore | |
| Cod. Prod. | FDB86135 |
| Cod. LCSC | C898565 |
| Imballo | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 100V 75A 4V 3mΩ@10V 1 N-channel D2PAK Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Scheda Tecnica |  onsemi FDB86135 |
| Parti alternative | 10 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | D2PAK | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 75A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Pd - Power Dissipation | 2.4W;227W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 210pF | |
| RDS(on) | 3mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 5.485nF | |
| Gate Charge(Qg) | 89nC@10V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | D2PAK | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 75A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 2.4W;227W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 210pF | |
| RDS(on) | 3mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 5.485nF | |
| Gate Charge(Qg) | 89nC@10V |
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Descrizione
Traduzione AI
This N-channel MOSFET is manufactured using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process, which incorporates shielded gate technology. The process is optimized for on-resistance while maintaining excellent switching performance.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Shielded gate MOSFET technology
- Maximum RDS(on) = 3.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 75 A
- Fast switching speed
- Low gate charge
- High-performance trench technology for ultra-low RDS(on)
- High power and current handling capability
- RoHS compliant
Applicazioni
Traduzione AI
- DC-DC Primary Bridge
- DC-DC Synchronous Rectification
- Hot Swap
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 3.6482 | $ 3.65 |
| 10+ | $ 3.5623 | $ 35.62 |
| 30+ | $ 3.5056 | $ 105.17 |
| 100+ | $ 3.4489 | $ 344.89 |
Package Standard800/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | D2PAK | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 75A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Pd - Power Dissipation | 2.4W;227W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 210pF | |
| RDS(on) | 3mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 5.485nF | |
| Gate Charge(Qg) | 89nC@10V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | D2PAK | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 75A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 2.4W;227W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 210pF | |
| RDS(on) | 3mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 5.485nF | |
| Gate Charge(Qg) | 89nC@10V |
Segnala un erroreMostra prodotti simili (0) >
Descrizione
Traduzione AI
This N-channel MOSFET is manufactured using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process, which incorporates shielded gate technology. The process is optimized for on-resistance while maintaining excellent switching performance.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Shielded gate MOSFET technology
- Maximum RDS(on) = 3.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 75 A
- Fast switching speed
- Low gate charge
- High-performance trench technology for ultra-low RDS(on)
- High power and current handling capability
- RoHS compliant
Applicazioni
Traduzione AI
- DC-DC Primary Bridge
- DC-DC Synchronous Rectification
- Hot Swap
C898565 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Confezione | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 120N10 | GOODWORK | TO-263 | 89 | $ 1.1864 | ||
| FH037N10B | XIN FEI HONG | TO-263 | 205 | $ 0.6521 | ||
| RS100N190S | REASUNOS | TO-263 | 28 | $0.5404 $0.5688 | ||
| HYG043N10NS2B | HUAYI | TO-263-2L | 2 | $ 0.7895 | ||
| MSA004B | MIRACLE POWER | TO-263 | 800 | $0.7041 $0.7411 | ||
| IPB020N10N5 | Infineon | TO-263-3 | 0 | $ 6.9461 | ||
| CMB073N15 | Cmos | TO-263 | 0 | $1.1005 $1.1584 | ||
| NCEP045N10D | NCE | TO-263 | 0 | $ 1.1795 | ||
| AUIRFS4410ZTRL | Infineon | D2PAK | 0 | $ 4.1967 | ||
| FDB3632-F085 | onsemi | TO-263AB | 0 | $ 4.5075 |