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DIODES DMP2109UVT-7
| Produttore | |
| Cod. Prod. | DMP2109UVT-7 |
| Cod. LCSC | C6934879 |
| Imballo | TSOT-26 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 20V 3.7A 450mV 1.2W 80mΩ@4.5V 1 P-Channel TSOT-26 Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Scheda Tecnica |  DIODES DMP2109UVT-7 |
| Parti alternative | 10 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | TSOT-26 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.7A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 450mV | |
| Pd - Power Dissipation | 1.2W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 47pF | |
| RDS(on) | 80mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 443pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6nC@4.5V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | TSOT-26 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.7A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 450mV |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 1.2W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 47pF | |
| RDS(on) | 80mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 443pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6nC@4.5V |
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Descrizione
Traduzione AI
This next-generation MOSFET is designed to minimize on-resistance (RDS(ON)) while maintaining superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low on-resistance - Low gate threshold voltage - Low input capacitance
Applicazioni
Traduzione AI
- General-purpose interface switch — power management function
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.2303 | $ 0.23 |
| 200+ | $ 0.0919 | $ 18.38 |
| 500+ | $ 0.0889 | $ 44.45 |
| 1,000+ | $ 0.0874 | $ 87.40 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | TSOT-26 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.7A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 450mV | |
| Pd - Power Dissipation | 1.2W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 47pF | |
| RDS(on) | 80mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 443pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6nC@4.5V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | DIODES | |
| Imballo | TSOT-26 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.7A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 450mV |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 1.2W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 47pF | |
| RDS(on) | 80mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 443pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6nC@4.5V |
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Descrizione
Traduzione AI
This next-generation MOSFET is designed to minimize on-resistance (RDS(ON)) while maintaining superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low on-resistance - Low gate threshold voltage - Low input capacitance
Applicazioni
Traduzione AI
- General-purpose interface switch — power management function
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Confezione | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMP2109UVT-13 | DIODES | TSOT-26 | 130 | $ 0.1576 | ||
| DMP2305UVT-7 | DIODES | TSOT-26 | 25 | $ 0.48 | ||
| DMP3098LDM-7 | DIODES | SOT-26 | 5 | $ 0.2227 | ||
| DMP2075UVT-7 | DIODES | TSOT-26 | 30 | $ 0.1449 | ||
| DMP6110SVT-7 | DIODES | TSOT-26 | 1,375 | $ 0.5086 | ||
| DMP6110SVTQ-7 | DIODES | TSOT-26 | 165 | $0.2911 $0.3731 | ||
| AO6403-VB | VBsemi Elec | TSOP-6 | 5 | $0.2083 $0.245 | ||
| PJS6413_S1_00001 | PANJIT | SOT-23-6 | 0 | $ 0.0791 | ||
| DMP2067LVT-13 | DIODES | TSOT-26 | 0 | $ 0.2527 | ||
| DMP2035UVTQ-13 | DIODES | TSOT-23-6 | 0 | $ 0.2855 |