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VISHAY SI7460DP-T1-GE3RoHS

Produttore
VISHAY
Cod. Prod.
SI7460DP-T1-GE3
Cod. LCSC
C5918280
Imballo
PowerPAKSO-8
Numero Cliente
Attr. chiave
MOSFET N-CH 60V 18A PowerPAKSO-8
Scheda Tecnicapdf iconVISHAY SI7460DP-T1-GE3
Disponibile: 2
2 Pronta consegna
Discontinuo
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Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
QtàPr. unit.Importo totale
1+$ 2.9585$ 2.96
10+$ 2.9146$ 29.15
30+$ 2.8854$ 86.56
100+$ 2.8545$ 285.45
Package Standard3000/Full Reel

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProduttoreVISHAY
ImballoPowerPAKSO-8
Drain to Source Voltage60V
Operating Temperature-55℃~+150℃
Current - Continuous Drain(Id)18A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1V
Pd - Power Dissipation5.4W
RDS(on)9.6mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)65nC@10V
TypeN-Channel
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Caratteristiche

Traduzione AI
  • Halogen-free per IEC 61249-2-21
  • TrenchFET Power MOSFET
  • New low thermal resistance PowerPAK package, 1.07 mm height

Applicazioni

Traduzione AI
  • Secondary Rectification - Point of Load