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Infineon IPI70N04S4-06
| Fabricante | |
| Cód. da peça | IPI70N04S4-06 |
| Nº LCSC | C536998 |
| Emb. | TO-262-3 |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | MOSFET N-CH 40V 70A TO-262-3 |
| Folha de Dados |  Infineon IPI70N04S4-06 |
| Peças alternativas | 10 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Infineon | |
| Emb. | TO-262-3 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Output Capacitance(Coss) | 640pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 70A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Pd - Power Dissipation | 58W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 35pF | |
| RDS(on) | 6.2mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.55nF | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Infineon | |
| Emb. | TO-262-3 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Output Capacitance(Coss) | 640pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 70A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 58W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 35pF | |
| RDS(on) | 6.2mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.55nF | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC@10V | |
| Type | N-Channel |
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Recursos
Tradução por IA
- N-channel - Enhancement mode
- AEC qualified
- MSL1 up to 260°C peak reflow
- 175°C operating temperature
- Green Product (RoHS compliant)
- 100% Avalanche tested
Em estoque: 205
205 Em estoque, envio imediato
Mínimo: 1Múltiplo: 1Unidade de venda: Piece
Adicionar à Lista BOM
| Qtd. | Preço unit. | Valor total |
|---|---|---|
| 1+ | $ 1.2591 | $ 1.26 |
| 10+ | $ 1.2396 | $ 12.40 |
| 30+ | $ 1.225 | $ 36.75 |
| 100+ | $ 1.212 | $ 121.20 |
Encapsulamento Padrão500/Full Tube | ||
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Infineon | |
| Emb. | TO-262-3 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Output Capacitance(Coss) | 640pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 70A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Pd - Power Dissipation | 58W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 35pF | |
| RDS(on) | 6.2mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.55nF | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Infineon | |
| Emb. | TO-262-3 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Output Capacitance(Coss) | 640pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 70A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 58W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 35pF | |
| RDS(on) | 6.2mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.55nF | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC@10V | |
| Type | N-Channel |
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Recursos
Tradução por IA
- N-channel - Enhancement mode
- AEC qualified
- MSL1 up to 260°C peak reflow
- 175°C operating temperature
- Green Product (RoHS compliant)
- 100% Avalanche tested
C536998 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | |
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | |
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Peças alternativas
| MPN | Fabricante | Embalagem | Disponibilidade | Preço unitário | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| VBN1806 | VBsemi Elec | TO-262 | 10 | $1.0784 $1.2686 | ||
| PSMN4R3-80ES,127-VB | VBsemi Elec | TO-262 | 5 | $1.3218 $1.3913 | ||
| PSMN3R5-80ES,127-VB | VBsemi Elec | TO-262 | 5 | $1.3218 $1.3913 | ||
| STI76NF75-VB | VBsemi Elec | TO-262 | 5 | $1.3218 $1.3913 | ||
| IPI139N08N3 G-VB | VBsemi Elec | TO-262 | 0 | $ 1.7914 | ||
| IRFSL4310ZPBF | Infineon | TO-262 | 0 | $ 1.469 | ||
| HUF75339S3 | TI | TO-262AA | 0 | $ 0.2429 | ||
| FDI045N10A | onsemi | I2PAK(TO-262) | 0 | $ 2.2204 | ||
| AUIRFSL4310 | Infineon | TO-262 | 0 | $ 2.208 | ||
| RF1S70N06 | TI | I2PAK(TO-262) | 0 | $ 2.7388 |