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VISHAY SI7460DP-T1-GE3RoHS

Fabricant
VISHAY
Réf. Fab.
SI7460DP-T1-GE3
Réf. LCSC
C5918280
Condit.
PowerPAKSO-8
Numéro Client
Caract. clés
MOSFET N-CH 60V 18A PowerPAKSO-8
Fiche Techniquepdf iconVISHAY SI7460DP-T1-GE3
En stock: 2
2 En stock, expédition immédiate
Discontinué
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Minimum: 1Multiple: 1Unité de vente: Piece
QtéPrix unit.Montant total
1+$ 2.9585$ 2.96
10+$ 2.9146$ 29.15
30+$ 2.8854$ 86.56
100+$ 2.8545$ 285.45
Boîtier Standard3000/Full Reel

Spécifications du Produit

Tout
TypeDescription
CatégorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricantVISHAY
Condit.PowerPAKSO-8
Drain to Source Voltage60V
Operating Temperature-55℃~+150℃
Current - Continuous Drain(Id)18A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1V
Pd - Power Dissipation5.4W
RDS(on)9.6mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)65nC@10V
TypeN-Channel
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Caractéristiques

Traduction par IA
  • Halogen-free per IEC 61249-2-21
  • TrenchFET Power MOSFET
  • New low thermal resistance PowerPAK package, 1.07 mm height

Applications

Traduction par IA
  • Secondary Rectification - Point of Load