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XNRUSEMI XR30P02RoHS

Fabricante
XNRUSEMIAsian Brands
Cód. da peça
XR30P02
Nº LCSC
C42456922
Emb.
TO-252-3L
Número do Cliente
Atrib. princ.
MOSFET P-CH 20V 30A TO-252-3L
Folha de Dadospdf iconXNRUSEMI XR30P02
Em estoque: 2,160
2,160 Em estoque, envio imediato
Mínimo: 10Múltiplo: 10Unidade de venda: Piece
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Qtd.Preço unit.Valor total
10+$ 0.1001$ 1.00
100+$ 0.0845$ 8.45
300+$ 0.0767$ 23.01
2,500+$ 0.0709$ 177.25
5,000+$ 0.0662$ 331.00
10,000+$ 0.0639$ 639.00
Encapsulamento Padrão2500/Full Reel
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Especificações do Produto

Tudo
TipoDescrição
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteXNRUSEMI
Emb.TO-252-3L
Drain to Source Voltage20V
Operating Temperature-55℃~+150℃
Current - Continuous Drain(Id)30A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))-
Pd - Power Dissipation3.9W
RDS(on)15mΩ@4.5V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)279pF
Number1 P-Channel
Input Capacitance(Ciss)1.3nF
Gate Charge(Qg)19nC@6V

Descrição

Tradução por IA

The XR30P02 is a high cell density trench P-channel MOSFET that delivers excellent on-resistance (R<sub>DS(ON)</sub>) and gate charge for most synchronous buck converter applications. The XR30P02 complies with RoHS and green product requirements, is 100% tested for avalanche energy capability (EAS), and carries full functional reliability qualification.

Recursos

Tradução por IA
  • Green/RoHS-compliant devices
  • Ultra-low gate charge
  • Excellent Cdv/dt immunity
  • Advanced high cell density trench technology