ElecSuper IRF540NPBF-ES
| Fabricante | ElecSuperAsian Brands |
| Cód. da peça | IRF540NPBF-ES |
| Nº LCSC | C39832212 |
| Emb. | TO-220 |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | MOSFET N-CH 100V 18A TO-220 |
| Folha de Dados |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | ElecSuper | |
| Emb. | TO-220 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 92pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 35W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 76pF | |
| RDS(on) | 37mΩ@10V;39mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.982nF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@4.5V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | ElecSuper | |
| Emb. | TO-220 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 92pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 35W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 76pF | |
| RDS(on) | 37mΩ@10V;39mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.982nF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@4.5V | |
| Type | N-Channel |
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Descrição
Tradução por IA
IRF540NPBF-ES is an N-channel enhancement-mode MOSFET. Utilizing advanced trench technology and design, it achieves excellent RDS(ON) at low gate charge. The device is suitable for DC-DC conversion, power switching, and charging circuits. The standard product IRF540NPBF-ES is a lead-free product.
Recursos
Tradução por IA
- 100V, RDS(ON) = 37 mΩ (typ.) @VGS=10V; RDS(ON) = 39 mΩ (typ.) @VGS=4.5V
- High-density cell design for low RDS(ON)
- Material: Halogen-free
- Robust and durable
- Avalanche rated
- Low leakage current
Aplicações
Tradução por IA
- PWM applications
- Load switching
- Power management for portable/desktop computers
- DC/DC conversion
Em estoque: 235
235 Em estoque, envio imediato
Mínimo: 5Múltiplo: 5Unidade de venda: Piece
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| Qtd. | Preço unit. | Valor total |
|---|---|---|
| 5+ | $ 0.2653 | $ 1.33 |
| 50+ | $ 0.204 | $ 10.20 |
| 150+ | $ 0.1778 | $ 26.67 |
| 500+ | $ 0.145 | $ 72.50 |
| 2,500+ | $ 0.1304 | $ 326.00 |
| 5,000+ | $ 0.1216 | $ 608.00 |
Encapsulamento Padrão50/Full Tube | ||
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | ElecSuper | |
| Emb. | TO-220 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 92pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 35W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 76pF | |
| RDS(on) | 37mΩ@10V;39mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.982nF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@4.5V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | ElecSuper | |
| Emb. | TO-220 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 92pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 35W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 76pF | |
| RDS(on) | 37mΩ@10V;39mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.982nF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@4.5V | |
| Type | N-Channel |
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Descrição
Tradução por IA
IRF540NPBF-ES is an N-channel enhancement-mode MOSFET. Utilizing advanced trench technology and design, it achieves excellent RDS(ON) at low gate charge. The device is suitable for DC-DC conversion, power switching, and charging circuits. The standard product IRF540NPBF-ES is a lead-free product.
Recursos
Tradução por IA
- 100V, RDS(ON) = 37 mΩ (typ.) @VGS=10V; RDS(ON) = 39 mΩ (typ.) @VGS=4.5V
- High-density cell design for low RDS(ON)
- Material: Halogen-free
- Robust and durable
- Avalanche rated
- Low leakage current
Aplicações
Tradução por IA
- PWM applications
- Load switching
- Power management for portable/desktop computers
- DC/DC conversion
C39832212 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | |
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | |
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |



