LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Iniciar sesión
USD
Carrito
VISHAY SI7460DP-T1-GE3 product image
  • SI7460DP-T1-GE3 thumbnail 1
  • SI7460DP-T1-GE3 thumbnail 2
  • SI7460DP-T1-GE3 thumbnail 3
  • Diagrama de pines
  • Huella
Imágenes ilustrativas

VISHAY SI7460DP-T1-GE3RoHS

Fabricante
VISHAY
N.º de pieza fab.
SI7460DP-T1-GE3
Nº LCSC
C5918280
Emb.
PowerPAKSO-8
Número de Cliente
Atrib. clave
MOSFET N-CH 60V 18A PowerPAKSO-8
Hoja de Datospdf iconVISHAY SI7460DP-T1-GE3
En stock: 2
2 En stock, envío inmediato
Descontinuado
Una vez agotadas las existencias, este producto pasará a "No disponible".
Avisarme
Mínimo: 1Múltiplo: 1Unidad de venta: Piece
Cant.Prec. unit.Importo total
1+$ 2.9585$ 2.96
10+$ 2.9146$ 29.15
30+$ 2.8854$ 86.56
100+$ 2.8545$ 285.45
Encapsulado Estándar3000/Full Reel

Especificaciones del Producto

Todo
TipoDescripción
CategoríaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteVISHAY
Emb.PowerPAKSO-8
Drain to Source Voltage60V
Operating Temperature-55℃~+150℃
Current - Continuous Drain(Id)18A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1V
Pd - Power Dissipation5.4W
RDS(on)9.6mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)65nC@10V
TypeN-Channel
Reportar un errorMostrar productos similares (0) >

Características

Traducción por IA
  • Halogen-free per IEC 61249-2-21
  • TrenchFET Power MOSFET
  • New low thermal resistance PowerPAK package, 1.07 mm height

Aplicaciones

Traducción por IA
  • Secondary Rectification - Point of Load