LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
Koszyk
NCE NCE65TF099T product image
  • NCE65TF099T thumbnail 1
  • NCE65TF099T thumbnail 2
  • NCE65TF099T thumbnail 3
  • Rozkład pinów
  • Obudowa
Zdjęcia poglądowe

NCE NCE65TF099TRoHS

Producent
NCEAsian Brands
Nr części prod.
NCE65TF099T
Nr LCSC
C502878
Opak.
TO-247
Numer Klienta
Klucz. cechy
MOSFET N-CH 650V 38A TO-247
Karta Katalogowapdf iconNCE NCE65TF099T
Na stanie: 330
330 W magazynie, wysyłka natychmiastowa
Minimum: 1Wielokrotność: 1Jednostka sprzedaży: Piece
Dodaj do Listy BOM
Szt.Cena jedn.Suma całkowita
1+$ 3.2087$ 3.21
10+$ 2.6742$ 26.74
30+$ 2.3395$ 70.19
90+$ 1.9967$ 179.70
510+$ 1.8424$ 939.62
1,200+$ 1.7741$ 2128.92
Standardowa Obudowa30/Full Tube
Lepsza cena za większą ilość?
$

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProducentNCE
Opak.TO-247
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage650V
Current - Continuous Drain(Id)38A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3.5V
Pd - Power Dissipation322W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)1.5pF
RDS(on)89mΩ@10V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)3.2nF
Gate Charge(Qg)55nC@10V
Zgłoś błądPokaż podobne produkty (0) >

Opis

Tłumaczenie AI

The series of devices use advanced trench gate super junction technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This super junction MOSFET fits the industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • Optimized body diode reverse recovery performance
  • Low on-resistance and low conduction losses
  • Small package
  • Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements
  • 100% Avalanche Tested
  • ROHS compliant

Zastosowania

Tłumaczenie AI
  • Power factor correction（PFC）
  • Switched mode power supplies(SMPS)
  • Uninterruptible Power Supply（UPS）
  • LLC Half-bridge