Imagens ilustrativas
Modelos EDAEasyEDA
Taiwan Semiconductor TSM60N1R4CP ROG
| Fabricante | Taiwan SemiconductorAsian Brands |
| Cód. da peça | TSM60N1R4CP ROG |
| Nº LCSC | C6723522 |
| Emb. | TO-252(DPAK) |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | 600V 3.3A 4V 38W 1.4Ω@10V 1 N-channel TO-252(DPAK) Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Folha de Dados |  Taiwan Semiconductor TSM60N1R4CP ROG |
| Peças alternativas | 8 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Taiwan Semiconductor | |
| Emb. | TO-252(DPAK) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.3A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Pd - Power Dissipation | 38W | |
| RDS(on) | 1.4Ω@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 370pF | |
| Gate Charge(Qg) | 7.7nC@10V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Taiwan Semiconductor | |
| Emb. | TO-252(DPAK) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.3A |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Pd - Power Dissipation | 38W | |
| RDS(on) | 1.4Ω@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 370pF | |
| Gate Charge(Qg) | 7.7nC@10V |
Reportar um erroMostrar produtos similares (0) >
Descrição
Tradução por IA
AGM30P05A combines advanced trench MOSFET technology with low-resistance packaging to deliver extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications.
Recursos
Tradução por IA
- Super junction technology
- High performance due to low figure of merit
- High durability
- High commutation performance
Aplicações
Tradução por IA
- Power Supply
- Lighting
Fora de estoque
Avise-me
Mínimo: 1Múltiplo: 1Unidade de venda: Piece
Adicionar à Lista BOM
| Qtd. | Preço unit.(Apenas para referência) | Valor total |
|---|---|---|
| 1+ | $ 2.2854 | $ 2.29 |
| 200+ | $ 0.9124 | $ 182.48 |
| 500+ | $ 0.8821 | $ 441.05 |
| 1,000+ | $ 0.8669 | $ 866.90 |
Encapsulamento Padrão2500/Full Reel | ||
Melhor preço para maior quantidade?
$
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Taiwan Semiconductor | |
| Emb. | TO-252(DPAK) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.3A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Pd - Power Dissipation | 38W | |
| RDS(on) | 1.4Ω@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 370pF | |
| Gate Charge(Qg) | 7.7nC@10V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Taiwan Semiconductor | |
| Emb. | TO-252(DPAK) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.3A |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Pd - Power Dissipation | 38W | |
| RDS(on) | 1.4Ω@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 370pF | |
| Gate Charge(Qg) | 7.7nC@10V |
Reportar um erroMostrar produtos similares (0) >
Descrição
Tradução por IA
AGM30P05A combines advanced trench MOSFET technology with low-resistance packaging to deliver extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications.
Recursos
Tradução por IA
- Super junction technology
- High performance due to low figure of merit
- High durability
- High commutation performance
Aplicações
Tradução por IA
- Power Supply
- Lighting
C6723522 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Peças alternativas
| MPN | Fabricante | Embalagem | Disponibilidade | Preço unitário | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| TSM70N1R4CP ROG | Taiwan Semiconductor | TO-252(DPAK) | 0 | $ 1.6609 | ||
| TSM80N1R2CP ROG | Taiwan Semiconductor | TO-252(DPAK) | 0 | $ 3.4952 | ||
| TSM60N900CP ROG | Taiwan Semiconductor | TO-252(DPAK) | 0 | $ 2.8022 | ||
| TSM70N900CP ROG | Taiwan Semiconductor | TO-252(DPAK) | 0 | $ 2.3731 | ||
| TSM80N950CP ROG | Taiwan Semiconductor | TO-252(DPAK) | 0 | $ 3.3855 | ||
| TSM4NB60CP ROG | Taiwan Semiconductor | TO-252(DPAK) | 0 | $ 0.8418 | ||
| TSM60NC390CP ROG | Taiwan Semiconductor | TO-252(DPAK) | 0 | $ 0.9672 | ||
| TSM60NC1R5CP ROG | Taiwan Semiconductor | TO-252(DPAK) | 0 | $ 0.4671 |