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Infineon FS33MR12W1M1HB11BPSA1 product image
Immagini a scopo illustrativo

Infineon FS33MR12W1M1HB11BPSA1

Produttore
Infineon
Cod. Prod.
FS33MR12W1M1HB11BPSA1
Cod. LCSC
C20190967
Imballo
-
Numero Cliente
Attr. chiave
1.2kV 25A 32.3mΩ@18V 5.15V FET, MOSFET Arrays RoHS
Scheda Tecnicapdf iconInfineon FS33MR12W1M1HB11BPSA1
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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QtàPr. unit.(Solo per riferimento)Importo totale
1+$ 185.1669$ 185.17
192+$ 73.8838$ 14185.69
504+$ 71.414$ 35992.66
1,008+$ 70.1941$ 70755.65
Package Standard24/Full Tray
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays
ProduttoreInfineon
Imballo-
Drain to Source Voltage1.2kV
Current - Continuous Drain(Id)25A
RDS(on)32.3mΩ@18V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))5.15V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)7pF
Input Capacitance(Ciss)2.2nF
Operating Temperature-40℃~+175℃
Output Capacitance(Coss)105pF
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Caratteristiche

Traduzione AI
  • Electrical Characteristics
  • Drain-Source Voltage (VDSS) = 1200 V
  • Nominal Drain Current (IDN) = 25 A / Repetitive Avalanche Drain Current (IDRM) = 50 A
  • Low inductance design
  • Low switching losses
  • Mechanical Characteristics
  • Integrated mounting clip for secure installation
  • PressFIT contact technology
  • Integrated NTC temperature sensor

Applicazioni

Traduzione AI
  • High-frequency switching applications
  • DC/DC converters
  • Motor drives
  • Uninterruptible power supply (UPS) systems