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Modelli EDAEasyEDA
Infineon IRF7495TRPBF
| Produttore | |
| Cod. Prod. | IRF7495TRPBF |
| Cod. LCSC | C148195 |
| Imballo | SO-8 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH 100V 7.3A SO-8 |
| Scheda Tecnica |  Infineon IRF7495TRPBF |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 10 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 250pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.3A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 110pF | |
| RDS(on) | 22mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.53nF | |
| Gate Charge(Qg) | 34nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 250pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.3A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 110pF | |
| RDS(on) | 22mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.53nF | |
| Gate Charge(Qg) | 34nC@10V | |
| Type | N-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses
- Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design
- Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
Applicazioni
Traduzione AI
- High frequency DC-DC converters
Disponibile: 14
14 Pronta consegna
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit. | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 1.7458 | $ 1.75 |
| 10+ | $ 1.4809 | $ 14.81 |
| 30+ | $ 1.3152 | $ 39.46 |
| 100+ | $ 1.1448 | $ 114.48 |
| 500+ | $ 1.0689 | $ 534.45 |
| 1,000+ | $ 1.0348 | $ 1034.80 |
Package Standard4000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 250pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.3A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 110pF | |
| RDS(on) | 22mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.53nF | |
| Gate Charge(Qg) | 34nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Output Capacitance(Coss) | 250pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.3A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 110pF | |
| RDS(on) | 22mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 1.53nF | |
| Gate Charge(Qg) | 34nC@10V | |
| Type | N-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses
- Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design
- Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
Applicazioni
Traduzione AI
- High frequency DC-DC converters
C148195 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Confezione | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| SP010N15GP8 | Siliup | SOP-8L | 590 | $ 0.1964 | ||
| FDS3672 | onsemi | SO-8 | 879 | $ 0.9968 | ||
| FDS3672(UMW) | UMW | SOP-8 | 90 | $ 0.213 | ||
| HSM0026 | HUASHUO | SOP-8 | 20 | $ 0.5613 | ||
| IRF7853TRPBF | Infineon | SO-8 | 560 | $ 0.9579 | ||
| WSP08N10 | Winsok Semicon | SOP-8 | 15 | $ 0.2978 | ||
| DMT10H025SSS-13 | DIODES | SOP-8-150mil | 58 | $ 0.7929 | ||
| FDS86141 | onsemi | SO-8 | 2 | $ 2.7538 | ||
| SI4090BDY-T1-GE3 | VISHAY | SOIC-8 | 46 | $ 1.6604 | ||
| IRF7853PBF | Infineon | SOP-8 | 0 | $ 1.1129 |