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Infineon IPP048N12N3 GRoHS

Fabricante
Infineon
N.º de pieza fab.
IPP048N12N3 G
Nº LCSC
C537133
Emb.
TO-220-3
Número de Cliente
Atrib. clave
MOSFET 120V 100A TO-220-3
Hoja de Datospdf iconInfineon IPP048N12N3 G
En stock: 3
3 En stock, envío inmediato
Mínimo: 1Múltiplo: 1Unidad de venta: Piece
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Cant.Prec. unit.Importo total
1+$ 5.1257$ 5.13
10+$ 4.5831$ 45.83
50+$ 4.2614$ 213.07
100+$ 3.9365$ 393.65
500+$ 3.7854$ 1892.70
1,000+$ 3.7172$ 3717.20
Encapsulado Estándar50/Full Tube
¿Mejor precio por mayor cantidad?
$

Especificaciones del Producto

Todo
TipoDescripción
CategoríaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteInfineon
Emb.TO-220-3
Operating Temperature-55℃~+175℃
Drain to Source Voltage120V
Current - Continuous Drain(Id)100A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Pd - Power Dissipation300W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)81pF
RDS(on)4.8mΩ@10V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)12nF
Gate Charge(Qg)182nC@10V
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Características

Traducción por IA
  • N-channel, normally-on
  • Excellent gate charge × RDS(on) product (figure of merit)
  • Ultra-low on-resistance RDS(on)
  • Operating temperature up to 175°C
  • Lead-free lead finish; RoHS compliant
  • Qualified per JEDEC standards for target applications
  • Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
  • Halogen-free per IEC61249-2-21