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MICROCHIP JAN1N978CUR-1/TR product image
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MICROCHIP JAN1N978CUR-1/TR

Fabricante
MICROCHIP
Cód. da peça
JAN1N978CUR-1/TR
Nº LCSC
C3730002
Emb.
DO-213AA
Número do Cliente
Atrib. princ.
1 Independent 51V DO-213AA Single Zener Diodes RoHS
Folha de Dadospdf iconMICROCHIP JAN1N978CUR-1/TR
Conformidade RoHS2 documentos disponíveis
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Encapsulamento Padrão264/Full Reel
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Especificações do Produto

Tudo
TipoDescrição
CategoriaDiscrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes
FabricanteMICROCHIP
Emb.DO-213AA
Diode Configuration1 Independent
Tolerance±2%
Operating Junction Temperature Range-65℃~+175℃
Pd - Power Dissipation500mW
Reverse Leakage Current (Ir)500nA@39V
Impedance(Zzt)125Ω
Zener Voltage(Range)-
Zener Voltage(Nom)51V
Impedance(Zzk)1.5kΩ
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Recursos

Tradução por IA
  • JAN, JANTX, and JANTXV versions of 1N962BUR-1 through 1N986BUR-1 available in January
  • Leadless surface mount package
  • Metallurgical bond construction
  • Operating temperature range: -65°C to +175°C
  • Storage temperature range: -65°C to +175°C
  • DC power dissipation: 500mW at TEC = +125°C
  • Power derating: 10mW/°C for TEC > +125°C
  • Forward voltage maximum 1.1V at 200mA
  • DO-213AA package, hermetic glass case (MELF, SOD-80, LL34)
  • Tin/lead lead finish
  • Thermal resistance (ROJEC): 100°C/W max at L = 0 inches
  • Thermal impedance (ZJX): 35°C/W max
  • Polarity: marked (cathode) end positive during diode operation
  • Device axial COE approximately +6PPM/°C; mounting surface system COE should match