LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
Koszyk
5% OFF
VBsemi Elec 2N7002E-VB product image
  • 2N7002E-VB thumbnail 1
  • 2N7002E-VB thumbnail 2
  • 2N7002E-VB thumbnail 3
  • Rozkład pinów
  • Obudowa
Zdjęcia poglądowe

VBsemi Elec 2N7002E-VBRoHS

Producent
VBsemi ElecAsian Brands
Nr części prod.
2N7002E-VB
Nr LCSC
C878977
Opak.
SOT-23(TO-236)
Numer Klienta
Klucz. cechy
MOSFET N-CH 60V 250mA SOT-23(TO-236)
Karta Katalogowapdf iconVBsemi Elec 2N7002E-VB
Na stanie: 340
340 W magazynie, wysyłka natychmiastowa
Minimum: 10Wielokrotność: 10Jednostka sprzedaży: Piece
Dodaj do Listy BOM
Szt.Cena jedn.Suma całkowita
10+$ 0.0582$ 0.0553$ 0.55
100+$ 0.0465$ 0.0442$ 4.42
300+$ 0.0407$ 0.0387$ 11.61
3,000+$ 0.0339$ 0.0323$ 96.90
6,000+$ 0.0304$ 0.0289$ 173.40
9,000+$ 0.0286$ 0.0272$ 244.80
Standardowa Obudowa3000/Full Reel
Lepsza cena za większą ilość?
$

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProducentVBsemi Elec
Opak.SOT-23(TO-236)
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage60V
Current - Continuous Drain(Id)250mA
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.5V
Pd - Power Dissipation300mW
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)2pF
RDS(on)2.8Ω@10V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)25pF
Gate Charge(Qg)-
Zgłoś błądPokaż podobne produkty (0) >

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • Halogen-free per IEC 61249-2-21
  • Low threshold: 2 V (typical)
  • Low input capacitance: 25 pF
  • Fast switching speed: 25 ns
  • Low input and output leakage current
  • Trench power MOSFET
  • RoHS compliant per directive 2002/95/EC
  • Low offset voltage
  • Low-voltage operation
  • Buffer-free drive capability
  • High-speed circuits
  • Low error voltage

Zastosowania

Tłumaczenie AI
  • Direct logic level interface: TTL/CMOS
  • Drivers: relays, solenoids, lamps, hammers, displays, memories, transistors, etc.
  • Battery-powered systems
  • Solid-state relays