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Infineon IPC26N12N product image
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Infineon IPC26N12NRoHS

Fabricante
Infineon
N.º de pieza fab.
IPC26N12N
Nº LCSC
C536699
Emb.
-
Número de Cliente
Atrib. clave
120V 2A 4V Single FETs, MOSFETs RoHS
Hoja de Datospdf iconInfineon IPC26N12N
Agotado
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Mínimo: 1Múltiplo: 1Unidad de venta: Piece
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Cant.Prec. unit.(Solo como referencia)Importo total
1+$ 7.5044$ 7.50
200+$ 2.9049$ 580.98
500+$ 2.803$ 1401.50
1,000+$ 2.7521$ 2752.10
Encapsulado Estándar2000/Full Reel
¿Mejor precio por mayor cantidad?
$

Especificaciones del Producto

Todo
TipoDescripción
CategoríaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteInfineon
Emb.-
Drain to Source Voltage120V
Current - Continuous Drain(Id)2A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Pd - Power Dissipation-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)-
RDS(on)-
Number-
Input Capacitance(Ciss)-
Gate Charge(Qg)-
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Descripción

Traducción por IA
  • N-channel enhancement mode
  • Acceptable Quality Level (AQL) of 0.65 for visual inspection per failure catalog
  • ESD sensitive device per MIL-STD-883C
  • Die attach: eutectic or epoxy
  • Backside metallization: NiV system
  • Frontside metallization: AlSi system
  • Passivation: nitride (edge termination only)