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HUASHUO HSS6014

Fabricante
HUASHUOAsian Brands
Cód. da peça
HSS6014
Nº LCSC
C508451
Emb.
SOT-23L
Número do Cliente
Atrib. princ.
MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23L
Folha de Dadospdf iconHUASHUO HSS6014
Conformidade RoHS1 documentos disponíveis
Peças alternativas1
Em estoque: 6,180
6,180 Em estoque, envio imediato
Mínimo: 5Múltiplo: 5Unidade de venda: Piece
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Qtd.Preço unit.Valor total
5+$ 0.0996$ 0.50
50+$ 0.0801$ 4.01
150+$ 0.0704$ 10.56
500+$ 0.063$ 31.50
3,000+$ 0.0478$ 143.40
6,000+$ 0.0449$ 269.40
Encapsulamento Padrão3000/Full Reel
Melhor preço para maior quantidade?
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Especificações do Produto

Tudo
TipoDescrição
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteHUASHUO
Emb.SOT-23L
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage60V
Current - Continuous Drain(Id)6A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1V
Pd - Power Dissipation2.5W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)46pF
RDS(on)40mΩ@10V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)1.027nF
Gate Charge(Qg)19nC@10V

Descrição

Tradução por IA

HSS6014 is a high cell density trench N-channel MOSFET, offering excellent on-resistance (RDSON) and gate charge for most synchronous buck converter applications. HSS6014 complies with RoHS and green product requirements, is 100% guaranteed avalanche-rated (EAS), and has passed full-function reliability qualification.

Recursos

Tradução por IA
  • 100% guaranteed avalanche capability (EAS)
  • Green/eco-friendly devices available
  • Ultra-low gate charge
  • Excellent CdV/dt immunity
  • Advanced high cell density trench technology

Peças alternativas

MPNFabricanteEmbalagemDisponibilidadePreço unitário
HSS8N06HUASHUOSOT-23L0$ 0.0655