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Modelli EDAEasyEDA
NXP PHPT610030PK115
| Produttore | |
| Cod. Prod. | PHPT610030PK115 |
| Cod. LCSC | C3196231 |
| Imballo | - |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 100V 3A PNP 2 PNP Single Bipolar Transistors |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | NXP | |
| Imballo | - | |
| Current - Collector Cutoff | 50uA | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Transition frequency(fT) | 125MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 100V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 8V | |
| Pd - Power Dissipation | 5W | |
| Current - Collector(Ic) | 3A | |
| type | PNP | |
| Number | 2 PNP | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 360mV |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | NXP | |
| Imballo | - | |
| Current - Collector Cutoff | 50uA | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Transition frequency(fT) | 125MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 100V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Emitter-Base Voltage VEBO | 8V | |
| Pd - Power Dissipation | 5W | |
| Current - Collector(Ic) | 3A | |
| type | PNP | |
| Number | 2 PNP | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 360mV |
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Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 2.6432 | $ 2.64 |
| 200+ | $ 1.023 | $ 204.60 |
| 500+ | $ 0.9876 | $ 493.80 |
| 1,000+ | $ 0.969 | $ 969.00 |
Package Standard1/Full Bag | ||
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$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | NXP | |
| Imballo | - | |
| Current - Collector Cutoff | 50uA | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Transition frequency(fT) | 125MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 100V | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 8V | |
| Pd - Power Dissipation | 5W | |
| Current - Collector(Ic) | 3A | |
| type | PNP | |
| Number | 2 PNP | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 360mV |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors | |
| Produttore | NXP | |
| Imballo | - | |
| Current - Collector Cutoff | 50uA | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Transition frequency(fT) | 125MHz | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 100V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Emitter-Base Voltage VEBO | 8V | |
| Pd - Power Dissipation | 5W | |
| Current - Collector(Ic) | 3A | |
| type | PNP | |
| Number | 2 PNP | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 360mV |
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C3196231 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541210000 |
| USHTS | 8541210095 |
| TARIC | 8541210000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541210000 |
| BRHTS | 85412199 |
| INHTS | 85412100 |
| MXHTS | 8541.21.01 |