VBsemi Elec IRFH5255TRPBF-VB
| 제조업체 | VBsemi ElecAsian Brands |
| 제조사 품번 | IRFH5255TRPBF-VB |
| LCSC 번호 | C29779661 |
| 포장 | DFN5x6-8 |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | MOSFET N-CH 30V 120A DFN5x6-8 |
| 데이터시트 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | DFN5x6-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.025nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 76W | |
| RDS(on) | 3mΩ@10V;5mΩ@4.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 970pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 71nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | DFN5x6-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.025nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 76W | |
| RDS(on) | 3mΩ@10V;5mΩ@4.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 970pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 71nC@10V | |
| Type | N-Channel |
오류 신고유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- Trench power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
응용 분야
AI 번역
- Notebook computer core
- Voltage Regulator Module / Point-of-Load power supply
재고 있음: 20
20 재고 있음, 당일 발송
최소값: 1배수: 1판매 단위: Piece
BOM 목록에 추가
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.778$ 0.6613 | $ 0.66 |
| 10+ | $ 0.6272$ 0.5332 | $ 5.33 |
| 30+ | $ 0.551$ 0.4684 | $ 14.05 |
| 100+ | $ 0.4764$ 0.4050 | $ 40.50 |
| 500+ | $ 0.4303$ 0.3658 | $ 182.90 |
| 1,000+ | $ 0.4081$ 0.3469 | $ 346.90 |
표준 패키지5000/Full Reel | ||
수량이 많을수록 더 좋은 가격?
$
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | DFN5x6-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.025nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 76W | |
| RDS(on) | 3mΩ@10V;5mΩ@4.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 970pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 71nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | DFN5x6-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.025nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 76W | |
| RDS(on) | 3mΩ@10V;5mΩ@4.5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 970pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 3.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 71nC@10V | |
| Type | N-Channel |
오류 신고유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- Trench power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
응용 분야
AI 번역
- Notebook computer core
- Voltage Regulator Module / Point-of-Load power supply
C29779661 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |



