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NCE NCEP30T12G
| Fabricante | NCEAsian Brands |
| Cód. da peça | NCEP30T12G |
| Nº LCSC | C181920 |
| Emb. | DFN5X6-8L |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | MOSFET N-CH 30V 120A DFN5X6-8L |
| Folha de Dados |  NCE NCEP30T12G |
| Peças alternativas | 10 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | NCE | |
| Emb. | DFN5X6-8L | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.1nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.2V | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 78pF | |
| RDS(on) | 3.35mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 4.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 72nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | NCE | |
| Emb. | DFN5X6-8L | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.1nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.2V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 78pF | |
| RDS(on) | 3.35mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 4.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 72nC@10V | |
| Type | N-Channel |
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Descrição
Tradução por IA
The NCEP30T12G uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.
Recursos
Tradução por IA
- Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)
- Very low on-resistance RDS(on)
- 150 °C operating temperature
- Pb-free lead plating
- 100% UIS tested
Aplicações
Tradução por IA
- DC/DC Converter
- Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
Em estoque: 3
3 Em estoque, envio imediato
Descontinuado
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Mínimo: 1Múltiplo: 1Unidade de venda: Piece
| Qtd. | Preço unit. | Valor total |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.4869 | $ 0.49 |
| 10+ | $ 0.374 | $ 3.74 |
| 30+ | $ 0.3261 | $ 9.78 |
| 100+ | $ 0.2659 | $ 26.59 |
| 500+ | $ 0.2396 | $ 119.80 |
| 1,000+ | $ 0.2226 | $ 222.60 |
Encapsulamento Padrão5000/Full Reel | ||
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | NCE | |
| Emb. | DFN5X6-8L | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.1nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.2V | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 78pF | |
| RDS(on) | 3.35mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 4.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 72nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | NCE | |
| Emb. | DFN5X6-8L | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.1nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.2V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 78pF | |
| RDS(on) | 3.35mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 4.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | 72nC@10V | |
| Type | N-Channel |
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Descrição
Tradução por IA
The NCEP30T12G uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.
Recursos
Tradução por IA
- Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)
- Very low on-resistance RDS(on)
- 150 °C operating temperature
- Pb-free lead plating
- 100% UIS tested
Aplicações
Tradução por IA
- DC/DC Converter
- Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
C181920 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Peças alternativas
| MPN | Fabricante | Embalagem | Disponibilidade | Preço unitário | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| NCEP40T13GU | NCE | DFN5X6-8L | 7,586 | $ 0.7409 | ||
| NCEP40T11G | NCE | DFN5X6-8L | 23,354 | $ 0.6743 | ||
| NCEP025N60G | NCE | DFN5X6-8L | 3 | $ 1.7173 | ||
| NCEP60T15G | NCE | DFN5X6-8L | 5,401 | $ 1.2039 | ||
| NCEP30T15GU | NCE | DFN5X6-8L | 54 | $ 0.7201 | ||
| NCEP40T15GU | NCE | DFN5X6-8L | 1,526 | $ 1.0171 | ||
| NCEP035N85GU | NCE | DFN5X6-8L | 7,676 | $ 1.5348 | ||
| NCEP40T14G | NCE | DFN5X6-8L | 0 | $ 0.9927 | ||
| NCEP015N30GU | NCE | DFN-8L(5x6) | 0 | $ 0.647 | ||
| NCEP018N60AGU | NCE | DFN-8L(5x6) | 0 | $ 1.5808 |