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FUXINSEMI 2N7002ERoHS

Fabricante
FUXINSEMIAsian Brands
N.º de pieza fab.
2N7002E
Nº LCSC
C2844157
Emb.
SOT-23
Número de Cliente
Atrib. clave
MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT-23
Hoja de Datospdf iconFUXINSEMI 2N7002E
En stock: 5,240
5,240 En stock, envío inmediato
Mínimo: 20Múltiplo: 20Unidad de venta: Piece
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Cant.Prec. unit.Importo total
20+$ 0.0183$ 0.0147$ 0.29
200+$ 0.0143$ 0.0115$ 2.30
600+$ 0.012$ 0.0096$ 5.76
3,000+$ 0.0107$ 0.0086$ 25.80
9,000+$ 0.0095$ 0.0076$ 68.40
21,000+$ 0.0089$ 0.0072$ 151.20
Encapsulado Estándar3000/Full Reel
¿Mejor precio por mayor cantidad?
$

Especificaciones del Producto

Todo
TipoDescripción
CategoríaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteFUXINSEMI
Emb.SOT-23
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage60V
Output Capacitance(Coss)30pF
Current - Continuous Drain(Id)340mA
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.5V
Pd - Power Dissipation350mW
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)10pF
RDS(on)5.3Ω@4.5V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)40pF
TypeN-Channel

Características

Traducción por IA
  • ESD protection
  • Advanced trench process technology
  • High density cell design for ultra low on-resistance
  • Very low leakage current in off condition
  • In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives. Halogen-free

Aplicaciones

Traducción por IA
  • Specially designed for battery operated system, solid-state relays drivers, relays, displays, lamps, solenoids, memories, etc.