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onsemi FDMC86570LET60
| Produttore | |
| Cod. Prod. | FDMC86570LET60 |
| Cod. LCSC | C890974 |
| Imballo | PQFN-8 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 60V 87A 3V 1 N-channel PQFN-8 Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Scheda Tecnica |  onsemi FDMC86570LET60 |
| Conformità RoHS | 4 documenti disponibili |
| Parti alternative | 2 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | PQFN-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 87A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | - |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | PQFN-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 87A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | - |
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Descrizione
Traduzione AI
This N-channel MOSFET is manufactured using Fairchild's advanced PowerTrench process with shielded gate technology. The process is optimized for on-resistance while maintaining excellent switching performance.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Extended T J rating: 175°C
- Shield gate MOSFET technology
- Maximum r DS(on) = 4.3 mΩ (V GS = 10 V, I D = 18 A)
- Maximum r DS(on) = 6.5 mΩ (V GS = 4.5 V, I D = 15 A)
- High-performance trench technology for ultra-low r DS(on)
- Lead-free termination
- RoHS compliant
Applicazioni
Traduzione AI
- DC-DC Conversion
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 2.4265 | $ 2.43 |
| 10+ | $ 2.0632 | $ 20.63 |
| 30+ | $ 1.8364 | $ 55.09 |
| 100+ | $ 1.6034 | $ 160.34 |
| 500+ | $ 1.4976 | $ 748.80 |
| 1,000+ | $ 1.4516 | $ 1451.60 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | PQFN-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 87A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | - |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | onsemi | |
| Imballo | PQFN-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 87A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Segnala un erroreMostra prodotti simili (0) >
Descrizione
Traduzione AI
This N-channel MOSFET is manufactured using Fairchild's advanced PowerTrench process with shielded gate technology. The process is optimized for on-resistance while maintaining excellent switching performance.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Extended T J rating: 175°C
- Shield gate MOSFET technology
- Maximum r DS(on) = 4.3 mΩ (V GS = 10 V, I D = 18 A)
- Maximum r DS(on) = 6.5 mΩ (V GS = 4.5 V, I D = 15 A)
- High-performance trench technology for ultra-low r DS(on)
- Lead-free termination
- RoHS compliant
Applicazioni
Traduzione AI
- DC-DC Conversion
C890974 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Confezione | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS10N3D2C | onsemi | PQFN-8 | 5 | $3.3526 $7.6195 | ||
| FDMS003N08C | onsemi | PQFN-8 | 0 | $ 4.973 |