LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
Koszyk
VISHAY SI7460DP-T1-GE3 product image
  • SI7460DP-T1-GE3 thumbnail 1
  • SI7460DP-T1-GE3 thumbnail 2
  • SI7460DP-T1-GE3 thumbnail 3
  • Rozkład pinów
  • Obudowa
Zdjęcia poglądowe

VISHAY SI7460DP-T1-GE3RoHS

Producent
VISHAY
Nr części prod.
SI7460DP-T1-GE3
Nr LCSC
C5918280
Opak.
PowerPAKSO-8
Numer Klienta
Klucz. cechy
MOSFET N-CH 60V 18A PowerPAKSO-8
Karta Katalogowapdf iconVISHAY SI7460DP-T1-GE3
Na stanie: 2
2 W magazynie, wysyłka natychmiastowa
Wycofany
Po wyczerpaniu zapasów produkt zostanie oznaczony jako „Niedostępny”.
Powiadom mnie
Minimum: 1Wielokrotność: 1Jednostka sprzedaży: Piece
Szt.Cena jedn.Suma całkowita
1+$ 2.9585$ 2.96
10+$ 2.9146$ 29.15
30+$ 2.8854$ 86.56
100+$ 2.8545$ 285.45
Standardowa Obudowa3000/Full Reel

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProducentVISHAY
Opak.PowerPAKSO-8
Drain to Source Voltage60V
Operating Temperature-55℃~+150℃
Current - Continuous Drain(Id)18A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1V
Pd - Power Dissipation5.4W
RDS(on)9.6mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)65nC@10V
TypeN-Channel
Zgłoś błądPokaż podobne produkty (0) >

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • Halogen-free per IEC 61249-2-21
  • TrenchFET Power MOSFET
  • New low thermal resistance PowerPAK package, 1.07 mm height

Zastosowania

Tłumaczenie AI
  • Secondary Rectification - Point of Load