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GeneSiC Semiconductor MBRT200100R

Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Réf. Fab.
MBRT200100R
Réf. LCSC
C6665967
Condit.
-
Numéro Client
Caract. clés
1 Pair Common Anode 200A 100V 880mV@100A Diode Arrays RoHS
Fiche TechniqueGeneSiC Semiconductor MBRT200100R
Rupture de stock
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Minimum: 1Multiple: 1Unité de vente: Piece
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QtéPrix unit.(Référence uniquement)Montant total
1+$ 218.1057$ 218.11
200+$ 87.0265$ 17405.30
480+$ 84.1182$ 40376.74
1,000+$ 82.6815$ 82681.50
Boîtier Standard40/Full Bag
Meilleur prix pour une plus grande quantité ?
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Spécifications du Produit

Tout
TypeDescription
CatégorieDiscrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Diode Arrays
FabricantGeneSiC Semiconductor
Condit.-
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current1.5kA
Diode Configuration1 Pair Common Anode
Current - Rectified200A
Operating Junction Temperature Range-55℃~+150℃
Voltage - DC Reverse(Vr)100V
Reverse Leakage Current (Ir)1mA@20V
Voltage - Forward(Vf@If)880mV@100A
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Caractéristiques

Traduction par IA
  • High surge capability
  • Reverse repetitive peak voltage (VRRM) range: 45 V ~ 100 V
  • Isolated package
  • Electrically isolated base plate
  • Insensitive to ESD
  • Triple tower package