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Littelfuse IXFR44N80P
| 제조업체 | |
| 제조사 품번 | IXFR44N80P |
| LCSC 번호 | C6069276 |
| 포장 | - |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | 800V 25A 3V 300W 200mΩ@10V 1 N-channel Single FETs, MOSFETs RoHS |
| 데이터시트 |  Littelfuse IXFR44N80P |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | Littelfuse | |
| 포장 | - | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 25A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| RDS(on) | 200mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 30pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 12nF | |
| Gate Charge(Qg) | 200nC@10V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | Littelfuse | |
| 포장 | - | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 25A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| RDS(on) | 200mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 30pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 12nF | |
| Gate Charge(Qg) | 200nC@10V |
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주요 특징
AI 번역
- Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
- Low drain-to-heatsink capacitance (<30pF)
- Low RDS(on) HDMOS™ process
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
- Fast intrinsic rectifier
응용 분야
AI 번역
- DC-DC Converters
- Battery Chargers
- Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies
- DC Choppers
- AC Motor Control
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| 수량 | 단가(참고용) | 총액 |
|---|---|---|
| 1+ | $ 5.4327 | $ 5.43 |
| 210+ | $ 2.168 | $ 455.28 |
| 510+ | $ 2.0953 | $ 1068.60 |
| 990+ | $ 2.0606 | $ 2039.99 |
표준 패키지30/Full Tube | ||
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제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | Littelfuse | |
| 포장 | - | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 25A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| RDS(on) | 200mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 30pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 12nF | |
| Gate Charge(Qg) | 200nC@10V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | Littelfuse | |
| 포장 | - | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 25A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| RDS(on) | 200mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 30pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 12nF | |
| Gate Charge(Qg) | 200nC@10V |
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주요 특징
AI 번역
- Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
- Low drain-to-heatsink capacitance (<30pF)
- Low RDS(on) HDMOS™ process
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
- Fast intrinsic rectifier
응용 분야
AI 번역
- DC-DC Converters
- Battery Chargers
- Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies
- DC Choppers
- AC Motor Control
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |