HT(Shenzhen Jinyu Semicon) PT4606

Fabricante	HT(Shenzhen Jinyu Semicon)Asian Brands
N.º de pieza fab.	PT4606
Nº LCSC	C48782984
Emb.	SOP-8
Número de Cliente
Atrib. clave	MOSFET N-CH+P-CH ARR 30V 6.5A SOP-8
Hoja de Datos	HT(Shenzhen Jinyu Semicon) PT4606

Especificaciones del Producto

Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Fabricante	HT(Shenzhen Jinyu Semicon)
Emb.	SOP-8
Drain to Source Voltage	30V
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)	67pF;121pF
Current - Continuous Drain(Id)	5.8A;6.5A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	1.9V
Pd - Power Dissipation	2W
RDS(on)	24mΩ@10V;30mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	61pF;102pF
Input Capacitance(Ciss)	398pF;930pF
Gate Charge(Qg)	7.4nC@10V;20nC@10V
Type	N-Channel + P-Channel

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Fabricante	HT(Shenzhen Jinyu Semicon)
Emb.	SOP-8
Drain to Source Voltage	30V
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)	67pF;121pF
Current - Continuous Drain(Id)	5.8A;6.5A

Tipo	Descripción
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	1.9V
Pd - Power Dissipation	2W
RDS(on)	24mΩ@10V;30mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	61pF;102pF
Input Capacitance(Ciss)	398pF;930pF
Gate Charge(Qg)	7.4nC@10V;20nC@10V
Type	N-Channel + P-Channel

En stock: 2,460

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Mínimo: 5Múltiplo: 5Unidad de venta: Piece

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Cant.	Prec. unit.	Importo total
5+	$ 0.1478$ 0.1331	$ 0.67
50+	$ 0.1234$ 0.1111	$ 5.56
150+	$ 0.1112$ 0.1001	$ 15.02
500+	$ 0.1021$ 0.0919	$ 45.95
3,000+	$ 0.0948$ 0.0854	$ 256.20
6,000+	$ 0.0911$ 0.0820	$ 492.00
Encapsulado Estándar3000/Full Reel

¿Mejor precio por mayor cantidad?

$

Todo

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Fabricante	HT(Shenzhen Jinyu Semicon)
Emb.	SOP-8
Drain to Source Voltage	30V
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)	67pF;121pF
Current - Continuous Drain(Id)	5.8A;6.5A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	1.9V
Pd - Power Dissipation	2W
RDS(on)	24mΩ@10V;30mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	61pF;102pF
Input Capacitance(Ciss)	398pF;930pF
Gate Charge(Qg)	7.4nC@10V;20nC@10V
Type	N-Channel + P-Channel

Tipo	Descripción
Categoría	Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Fabricante	HT(Shenzhen Jinyu Semicon)
Emb.	SOP-8
Drain to Source Voltage	30V
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Output Capacitance(Coss)	67pF;121pF
Current - Continuous Drain(Id)	5.8A;6.5A

Tipo	Descripción
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))	1.9V
Pd - Power Dissipation	2W
RDS(on)	24mΩ@10V;30mΩ@10V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	61pF;102pF
Input Capacitance(Ciss)	398pF;930pF
Gate Charge(Qg)	7.4nC@10V;20nC@10V
Type	N-Channel + P-Channel