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XNRUSEMI XR15N10Z

Fabricante
XNRUSEMIAsian Brands
Cód. da peça
XR15N10Z
Nº LCSC
C42456864
Emb.
TO-251
Número do Cliente
Atrib. princ.
MOSFET N-CH 100V 15A TO-251
Folha de DadosXNRUSEMI XR15N10Z
Conformidade RoHS2 documentos disponíveis
Em estoque: 65
65 Em estoque, envio imediato
Mínimo: 5Múltiplo: 5Unidade de venda: Piece
Adicionar à Lista BOM
Qtd.Preço unit.Valor total
5+$ 0.0902$ 0.0857$ 0.43
50+$ 0.0719$ 0.0684$ 3.42
160+$ 0.0628$ 0.0597$ 9.55
480+$ 0.0559$ 0.0532$ 25.54
2,480+$ 0.0504$ 0.0479$ 118.79
4,960+$ 0.0477$ 0.0454$ 225.18
Encapsulamento Padrão80/Full Tube
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Especificações do Produto

Tudo
TipoDescrição
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteXNRUSEMI
Emb.TO-251
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage100V
Output Capacitance(Coss)38pF
Current - Continuous Drain(Id)15A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.5V
Pd - Power Dissipation30W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)33pF
RDS(on)88mΩ@10V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)765pF
Gate Charge(Qg)18nC@50V
TypeN-Channel
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Descrição

Tradução por IA

XR15N10Z is a high-performance trench N-channel MOSFET with ultra-high cell density, delivering excellent on-resistance (R<sub>DS(ON)</sub>) and gate charge for most synchronous buck converter applications. XR15N10Z is RoHS and green product compliant, 100% guaranteed avalanche-rated (EAS), and fully qualified through reliability certification.

Recursos

Tradução por IA
  • Ultra-low gate charge
  • Available in green/RoHS-compliant devices
  • Excellent Cdv/dt immunity
  • Advanced high cell density trench technology