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Imagens ilustrativas

NCE NCEP020N85

Fabricante
NCEAsian Brands
Cód. da peça
NCEP020N85
Nº LCSC
C2686640
Emb.
TO-220
Número do Cliente
Atrib. princ.
85V 300A 4V 340W 2mΩ@10V 1 N-channel N-Channel TO-220 Single FETs, MOSFETs
Folha de DadosNCE NCEP020N85
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Encapsulamento Padrão50/Full Tube
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Especificações do Produto

Tudo
TipoDescrição
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteNCE
Emb.TO-220
Operating Temperature-55℃~+175℃
Drain to Source Voltage85V
Output Capacitance(Coss)2.45nF
Current - Continuous Drain(Id)300A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Pd - Power Dissipation340W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)111pF
RDS(on)2mΩ@10V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)15.8nF
Gate Charge(Qg)245nC@10V
Vgs±20V
TypeN-Channel
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Descrição

Tradução por IA

This series of devices utilizes Super Trench II technology, uniquely optimized to deliver high-efficiency, high-frequency switching performance. The extremely low RDS(ON) and QG combination minimizes both conduction and switching power losses. These devices are ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.

Recursos

Tradução por IA
  • VDS = 85V, ID = 300A
  • R DS(ON) = 1.8mΩ, typical (TO-220), VGS = 10V
  • R DS(ON) = 1.6mΩ, typical (TO-263), VGS = 10V
  • Excellent gate charge × RDS(on) product (Figure of Merit FOM)
  • Ultra-low on-resistance RDS(ON)
  • 175°C operating temperature
  • Lead-free lead finish
  • 100% tested for single pulse avalanche energy (UIS)!
  • 100% tested for \Delta Vds!

Aplicações

Tradução por IA
  • DC/DC Converter
  • Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification