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TOSHIBA TK10E80W,S1X product image
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TOSHIBA TK10E80W,S1X

Fabricant
TOSHIBA
Réf. Fab.
TK10E80W,S1X
Réf. LCSC
C20247121
Condit.
TO-220
Numéro Client
Caract. clés
800V 9.5A 4V 130W 550mΩ@10V N-Channel TO-220 Single FETs, MOSFETs RoHS
Fiche TechniqueTOSHIBA TK10E80W,S1X
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Minimum: 1Multiple: 1Unité de vente: Piece
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QtéPrix unit.(Référence uniquement)Montant total
1+$ 3.7601$ 3.76
200+$ 1.5005$ 300.10
500+$ 1.4501$ 725.05
1,000+$ 1.4257$ 1425.70
Boîtier Standard50/Full Tube
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$

Spécifications du Produit

Tout
TypeDescription
CatégorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricantTOSHIBA
Condit.TO-220
Drain to Source Voltage800V
Output Capacitance(Coss)27pF
Current - Continuous Drain(Id)9.5A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Pd - Power Dissipation130W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)2pF
RDS(on)550mΩ@10V
Input Capacitance(Ciss)1.15nF
Gate Charge(Qg)19nC@10V
TypeN-Channel
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Caractéristiques

Traduction par IA
  • Low drain-source on-resistance: Super Junction DTMOS structure, R<sub>DS(ON)</sub> = 0.46Ω (typical)
  • Easy gate switching control
  • Enhancement mode: V<sub>th</sub> = 3.0 to 4.0 V (V<sub>DS</sub> = 10 V, I<sub>D</sub> = 0.45 mA)

Applications

Traduction par IA
  • Switching regulator