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Nexperia PSMN020-100YS,115
| Fabricante | |
| Cód. da peça | PSMN020-100YS,115 |
| Nº LCSC | C89867 |
| Emb. | SOT-669 |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | 106W 100V 43A 4V 20.5mΩ@10V 1 N-channel N-Channel SOT-669 Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Folha de Dados | Nexperia PSMN020-100YS,115 |
| Conformidade RoHS | 1 documentos disponíveis |
| Peças alternativas | 10 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Nexperia | |
| Emb. | SOT-669 | |
| Output Capacitance(Coss) | 167pF | |
| Pd - Power Dissipation | 106W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 43A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 103pF | |
| RDS(on) | 20.5mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.21nF | |
| Gate Charge(Qg) | 41nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Nexperia | |
| Emb. | SOT-669 | |
| Output Capacitance(Coss) | 167pF | |
| Pd - Power Dissipation | 106W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 43A |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 103pF | |
| RDS(on) | 20.5mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.21nF | |
| Gate Charge(Qg) | 41nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
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Descrição
Tradução por IA
Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package, operating up to 175°C. Designed and qualified for a wide range of industrial, communications, and consumer equipment.
Recursos
Tradução por IA
- Advanced TrenchMOS technology delivers low on-resistance (RDS(on)) and low gate charge
- Improved switching power converter efficiency
- Enhanced mechanical and thermal performance
- LFPAK package achieves maximum power density in Power SO8 footprint
Aplicações
Tradução por IA
- DC-DC Converter - Li-Ion Battery Protection - Load Switch - Motor Control - Server Power Supply
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| Qtd. | Preço unit.(Apenas para referência) | Valor total |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.5088 | $ 0.51 |
| 10+ | $ 0.404 | $ 4.04 |
| 30+ | $ 0.3608 | $ 10.82 |
| 100+ | $ 0.3053 | $ 30.53 |
| 500+ | $ 0.2806 | $ 140.30 |
| 1,500+ | $ 0.2652 | $ 397.80 |
Encapsulamento Padrão1500/Full Reel | ||
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Nexperia | |
| Emb. | SOT-669 | |
| Output Capacitance(Coss) | 167pF | |
| Pd - Power Dissipation | 106W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 43A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 103pF | |
| RDS(on) | 20.5mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.21nF | |
| Gate Charge(Qg) | 41nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | Nexperia | |
| Emb. | SOT-669 | |
| Output Capacitance(Coss) | 167pF | |
| Pd - Power Dissipation | 106W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 43A |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 103pF | |
| RDS(on) | 20.5mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 2.21nF | |
| Gate Charge(Qg) | 41nC@10V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
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Descrição
Tradução por IA
Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package, operating up to 175°C. Designed and qualified for a wide range of industrial, communications, and consumer equipment.
Recursos
Tradução por IA
- Advanced TrenchMOS technology delivers low on-resistance (RDS(on)) and low gate charge
- Improved switching power converter efficiency
- Enhanced mechanical and thermal performance
- LFPAK package achieves maximum power density in Power SO8 footprint
Aplicações
Tradução por IA
- DC-DC Converter - Li-Ion Battery Protection - Load Switch - Motor Control - Server Power Supply
C89867 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Peças alternativas
| MPN | Fabricante | Embalagem | Disponibilidade | Preço unitário | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK7Y22-100EX | Nexperia | SOT-669 | 10 | $ 0.7785 | ||
| PSMN028-100YS,115 | Nexperia | SOT-669 | 27 | $ 1.3712 | ||
| BUK9Y19-100E,115 | Nexperia | SOT-669 | 1,257 | $ 1.1423 | ||
| PSMN019-100YLX | Nexperia | SOT-669 | 75 | $ 2.5263 | ||
| BUK9Y15-100E,115 | Nexperia | SOT-669 | 10 | $ 2.432 | ||
| BUK7Y19-100EX | Nexperia | SOT-669 | 42 | $ 2.8549 | ||
| BUK7Y15-100EX | Nexperia | SOT-669 | 0 | $ 0.5845 | ||
| PSMN012-100YS,115 | Nexperia | SOT-669 | 0 | $ 1.8895 | ||
| PSMN011-100YSFX | Nexperia | SOT-669 | 0 | $ 2.3132 | ||
| PSMN012-100YLX | Nexperia | SOT-669 | 0 | $ 0.7651 |