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HUAYI HYG090P03LA1C1

Fabricante
HUAYIAsian Brands
Cód. da peça
HYG090P03LA1C1
Nº LCSC
C2904445
Emb.
DFN-8(3x3)
Número do Cliente
Atrib. princ.
MOSFET P-CH 30V 40A DFN-8(3x3)
Folha de DadosHUAYI HYG090P03LA1C1
Conformidade RoHS1 documentos disponíveis
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Encapsulamento Padrão3000/Full Reel
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Especificações do Produto

Tudo
TipoDescrição
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteHUAYI
Emb.DFN-8(3x3)
Drain to Source Voltage30V
Operating Temperature-55℃~+175℃
Current - Continuous Drain(Id)40A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3V
Pd - Power Dissipation25W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)267pF
RDS(on)14mΩ@4.5V
Number1 P-Channel
Input Capacitance(Ciss)2.992nF
Gate Charge(Qg)60nC
TypeP-Channel
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Descrição

Tradução por IA

N-channel power MOSFET designed with advanced trench technology. The device features excellent gate charge and on-resistance Rds(on), significantly reducing switching and conduction losses. As a result, it is well suited for AC/DC power conversion, load switching, and industrial power applications.

Recursos

Tradução por IA
  • -30V/-40A
  • RDS(ON)=7.9 mΩ (typ.) @ VGS=-10V
  • RDS(ON)=10.5 mΩ (typ.) @ VGS=-4.5V
  • 100% Avalanche Tested
  • Reliable and Rugged
  • Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)

Aplicações

Tradução por IA
  • Switching Application
  • Lithium battery protect board