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VISHAY IRF610PBF
| Fabricante | |
| Cód. da peça | IRF610PBF |
| Nº LCSC | C2630 |
| Emb. | TO-220AB |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB |
| Folha de Dados | VISHAY IRF610PBF |
| Conformidade RoHS | 2 documentos disponíveis |
| Peças alternativas | 9 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VISHAY | |
| Emb. | TO-220AB | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Output Capacitance(Coss) | 53pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.3A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Pd - Power Dissipation | 36W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 15pF | |
| RDS(on) | 1.5Ω@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 140pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.2nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VISHAY | |
| Emb. | TO-220AB | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Output Capacitance(Coss) | 53pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.3A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 36W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 15pF | |
| RDS(on) | 1.5Ω@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 140pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.2nC@10V | |
| Type | N-Channel |
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Descrição
Tradução por IA
Third generation Power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220AB contribute to its wide acceptance throughout the industry.
Recursos
Tradução por IA
- Dynamic dV/dt Rating
- Repetitive Avalanche Rated
- Fast Switching
- Ease of Paralleling
- Simple Drive Requirements
- Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
Em estoque: 76
76 Em estoque, envio imediato
Mínimo: 1Múltiplo: 1Unidade de venda: Piece
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| Qtd. | Preço unit. | Valor total |
|---|---|---|
| 1+ | $ 1.5061 | $ 1.51 |
| 10+ | $ 1.2783 | $ 12.78 |
| 50+ | $ 1.0948 | $ 54.74 |
| 100+ | $ 0.9538 | $ 95.38 |
| 500+ | $ 0.8899 | $ 444.95 |
| 1,000+ | $ 0.8621 | $ 862.10 |
Encapsulamento Padrão50/Full Tube | ||
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VISHAY | |
| Emb. | TO-220AB | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Output Capacitance(Coss) | 53pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.3A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Pd - Power Dissipation | 36W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 15pF | |
| RDS(on) | 1.5Ω@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 140pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.2nC@10V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VISHAY | |
| Emb. | TO-220AB | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Output Capacitance(Coss) | 53pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.3A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 36W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 15pF | |
| RDS(on) | 1.5Ω@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 140pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.2nC@10V | |
| Type | N-Channel |
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Descrição
Tradução por IA
Third generation Power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220AB contribute to its wide acceptance throughout the industry.
Recursos
Tradução por IA
- Dynamic dV/dt Rating
- Repetitive Avalanche Rated
- Fast Switching
- Ease of Paralleling
- Simple Drive Requirements
- Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
C2630 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Peças alternativas
| MPN | Fabricante | Embalagem | Disponibilidade | Preço unitário | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| SP5N20TQ | Siliup | TO-220-3L | 70 | $0.2086 $0.2317 | ||
| WGP7N70SE | Wild Goose | TO-220 | 975 | $ 0.3224 | ||
| SIHA12N60E-E3 | VISHAY | TO-220 | 5 | $ 2.2599 | ||
| IRF610PBF-BE3 | VISHAY | TO-220AB | 0 | $ 0.4323 | ||
| IRF611 | TI | TO-220AB | 0 | $ 0.608 | ||
| IRF610B | onsemi | TO-220 | 0 | $ 0.3423 | ||
| TK4A80E,S4X(S | TOSHIBA | TO-220SIS-3 | 0 | $ 0.6694 | ||
| SIHA17N80AE-GE3 | VISHAY | TO-220 | 0 | $ 1.7156 | ||
| SIHA21N80AE-GE3 | VISHAY | TO-220 | 0 | $ 3.5571 |