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VISHAY SI4386DY-T1-E3
| Fabricante | |
| Cód. da peça | SI4386DY-T1-E3 |
| Nº LCSC | C145472 |
| Emb. | SO-8 |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | MOSFET N-CH 30V 16A SO-8 |
| Folha de Dados | VISHAY SI4386DY-T1-E3 |
| Conformidade RoHS | 2 documentos disponíveis |
| Peças alternativas | 10 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VISHAY | |
| Emb. | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 16A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 1.47W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | 9.5mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 18nC@4.5V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VISHAY | |
| Emb. | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 16A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 1.47W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | 9.5mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 18nC@4.5V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
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Recursos
Tradução por IA
- Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available
- TrenchFET Gen II Power MOSFETs
- PWM Optimized 100 % Rg Tested
- RoHS COMPLIANT HALOGEN FREE Available
Aplicações
Tradução por IA
- DC/DC Conversion for PC
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| Qtd. | Preço unit.(Apenas para referência) | Valor total |
|---|---|---|
| 1+ | $ 3.7692 | $ 3.77 |
| 10+ | $ 3.7172 | $ 37.17 |
| 30+ | $ 3.6814 | $ 110.44 |
| 100+ | $ 3.6457 | $ 364.57 |
Encapsulamento Padrão2500/Full Reel | ||
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VISHAY | |
| Emb. | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 16A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Pd - Power Dissipation | 1.47W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | 9.5mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 18nC@4.5V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VISHAY | |
| Emb. | SO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 16A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 1.47W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| RDS(on) | 9.5mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 18nC@4.5V | |
| Vgs | ±20V | |
| Type | N-Channel |
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Recursos
Tradução por IA
- Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available
- TrenchFET Gen II Power MOSFETs
- PWM Optimized 100 % Rg Tested
- RoHS COMPLIANT HALOGEN FREE Available
Aplicações
Tradução por IA
- DC/DC Conversion for PC
C145472 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Peças alternativas
| MPN | Fabricante | Embalagem | Disponibilidade | Preço unitário | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| TPSI4178DY-T1-GE3 | TECH PUBLIC | SOP-8 | 1,000 | $ 0.1657 | ||
| YFW40N03S | YFW | SOP-8 | 2,755 | $0.0782 $0.0977 | ||
| SI4190BDY-T1-GE3 | VISHAY | SOIC-8 | 30 | $ 2.4841 | ||
| TPH6R003NL,LQ(S | TOSHIBA | SOP-8 | 2,319 | $ 0.3955 | ||
| WSP16N10 | Winsok Semicon | SOP-8 | 1,032 | $ 0.6194 | ||
| STN4260 | STANSON Tech. | SOP-8 | 1,910 | $ 0.2605 | ||
| DMT10H010LSS-13 | DIODES | SO-8 | 27 | $ 1.2185 | ||
| CJQ18SN06 | JSCJ | SOP-8 | 0 | $ 0.736 | ||
| SI4386DY-T1-GE3 | VISHAY | SOIC-8 | 0 | $ 0.7345 | ||
| RJK0354DSP-00#J0 | RENESAS | SOP-8 | 0 | $ 0.699 |