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DIODES DMN66D0LDW-7
| Fabricante | |
| Cód. da peça | DMN66D0LDW-7 |
| Nº LCSC | C397947 |
| Emb. | SOT-363 |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | MOSFET N-CH ARR 60V 115mA SOT-363 |
| Folha de Dados | DIODES DMN66D0LDW-7 |
| Conformidade RoHS | 2 documentos disponíveis |
| Peças alternativas | 10 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Fabricante | DIODES | |
| Emb. | SOT-363 | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 115mA | |
| RDS(on) | 6Ω@5V | |
| Pd - Power Dissipation | 250mW | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Type | N-Channel | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 23pF | |
| Gate Charge(Qg) | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Fabricante | DIODES | |
| Emb. | SOT-363 | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 115mA | |
| RDS(on) | 6Ω@5V | |
| Pd - Power Dissipation | 250mW |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Type | N-Channel | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 23pF | |
| Gate Charge(Qg) | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
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Descrição
Tradução por IA
This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (Rds(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
Recursos
Tradução por IA
- Dual N-Channel MOSFET
- Low On-Resistance
- Low Gate Threshold Voltage
- Low Input Capacitance
- Fast Switching Speed
- Small Surface Mount Package
- ESD Protected Gate, 1KV (HBM)
- Lead-Free Finish; RoHS Compliant
- Halogen and Antimony Free. “Green” Device
Aplicações
Tradução por IA
- Load Switches
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| Qtd. | Preço unit.(Apenas para referência) | Valor total |
|---|---|---|
| 10+ | $ 0.0286 | $ 0.29 |
| 100+ | $ 0.028 | $ 2.80 |
| 300+ | $ 0.0277 | $ 8.31 |
| 1,000+ | $ 0.0273 | $ 27.30 |
Encapsulamento Padrão3000/Full Reel | ||
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Fabricante | DIODES | |
| Emb. | SOT-363 | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 115mA | |
| RDS(on) | 6Ω@5V | |
| Pd - Power Dissipation | 250mW | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Type | N-Channel | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 23pF | |
| Gate Charge(Qg) | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| Fabricante | DIODES | |
| Emb. | SOT-363 | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 115mA | |
| RDS(on) | 6Ω@5V | |
| Pd - Power Dissipation | 250mW |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Type | N-Channel | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 23pF | |
| Gate Charge(Qg) | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
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Descrição
Tradução por IA
This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (Rds(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
Recursos
Tradução por IA
- Dual N-Channel MOSFET
- Low On-Resistance
- Low Gate Threshold Voltage
- Low Input Capacitance
- Fast Switching Speed
- Small Surface Mount Package
- ESD Protected Gate, 1KV (HBM)
- Lead-Free Finish; RoHS Compliant
- Halogen and Antimony Free. “Green” Device
Aplicações
Tradução por IA
- Load Switches
C397947 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Peças alternativas
| MPN | Fabricante | Embalagem | Disponibilidade | Preço unitário | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| TPM5121NEC6 | TECH PUBLIC | SOT-363 | 3,400 | $ 0.0639 | ||
| PDMN66D0LDW | TECH PUBLIC | SOT-363 | 2,540 | $ 0.0563 | ||
| NX138AKSX | Nexperia | TSSOP-6 | 10,240 | $ 0.0715 | ||
| 2N7002BDW | YANGJIE | SOT-363 | 1,740 | $ 0.0288 | ||
| MMBT7002DW | Huixin | SOT-363 | 4,480 | $0.0468 $0.0531 | ||
| NTJD5121NT2G | onsemi | SC-70-6(SOT-363) | 0 | $ 0.1274 | ||
| TSM2N7002AKDCU6 RFG | Taiwan Semiconductor | SOT-363 | 0 | $ 0.0764 | ||
| DMN65D8LDWQ-13 | DIODES | SOT-363 | 0 | $ 0.0914 | ||
| NX138AKSF | Nexperia | SOT-363 | 0 | $ 0.1137 | ||
| DMN66D0LDWQ-13 | DIODES | SOT-363 | 0 | $ 0.0522 |