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TOSHIBA TPW2900ENH,L1Q

Fabricante
TOSHIBA
Cód. da peça
TPW2900ENH,L1Q
Nº LCSC
C6560683
Emb.
DSOPADVANCE-8
Número do Cliente
Atrib. princ.
MOSFET N-CH 200V 33A DSOPADVANCE-8
Folha de DadosTOSHIBA TPW2900ENH,L1Q
Em estoque: 20
20 Em estoque, envio imediato
Mínimo: 1Múltiplo: 1Unidade de venda: Piece
Adicionar à Lista BOM
Qtd.Preço unit.Valor total
1+$ 2.4276$ 2.43
10+$ 2.3468$ 23.47
30+$ 2.2935$ 68.81
100+$ 2.2386$ 223.86
Encapsulamento Padrão5000/Full Reel
Melhor preço para maior quantidade?
$

Especificações do Produto

Tudo
TipoDescrição
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
FabricanteTOSHIBA
Emb.DSOPADVANCE-8
Drain to Source Voltage200V
Output Capacitance(Coss)180pF
Current - Continuous Drain(Id)33A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2V
Pd - Power Dissipation142W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)7pF
RDS(on)24mΩ@10V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)1.7nF
Gate Charge(Qg)22nC@10V
TypeN-Channel
Ajuda e FeedbackMostrar produtos similares (0) >

Recursos

Tradução por IA
  • High-speed switching
  • Small gate charge: QSW = 8.2 nC (typ.)
  • Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 24 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
  • Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 200 V)
  • Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)

Aplicações

Tradução por IA
  • High-Efficiency DC-DC Converters
  • Switching Voltage Regulators