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onsemi NJW21193G

Fabricante
onsemi
N.º de pieza fab.
NJW21193G
Nº LCSC
C604171
Emb.
TO-3P
Número de Cliente
Atrib. clave
TRANS PNP 250V 16A TO-3P
Hoja de Datospdf icononsemi NJW21193G
Conformidad con RoHS4 documentos disponibles
En stock: 223
223 En stock, envío inmediato
Mínimo: 1Múltiplo: 1Unidad de venta: Piece
Añadir a la Lista BOM
Cant.Prec. unit.Importo total
1+$ 3.1932$ 3.19
10+$ 2.7065$ 27.07
30+$ 2.2567$ 67.70
100+$ 1.9635$ 196.35
500+$ 1.8284$ 914.20
1,000+$ 1.767$ 1767.00
Encapsulado Estándar30/Full Tube
¿Mejor precio por mayor cantidad?
$

Especificaciones del Producto

Todo
TipoDescripción
CategoríaDiscrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricanteonsemi
Emb.TO-3P
Operating Temperature-65℃~+150℃
Current - Collector Cutoff100uA
Transition frequency(fT)4MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO250V
Emitter-Base Voltage VEBO5V
DC Current Gain20
Pd - Power Dissipation200W
Current - Collector(Ic)16A
Number1 PNP
typePNP
Vce Saturation(VCE(sat))1.4V
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Descripción

Traducción por IA

The NJW21193G and NJW21194G utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.

Características

Traducción por IA
  • Total Harmonic Distortion Characterized
  • High DC Current Gain
  • Excellent Gain Linearity
  • High SOA
  • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

Aplicaciones

Traducción por IA
  • high power audio output
  • disk head positioners
  • linear applications