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ST STU8N80K5
| Fabricante | |
| Cód. da peça | STU8N80K5 |
| Nº LCSC | C501073 |
| Emb. | TO-251 |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | 110W 800V 6A 5V 800mΩ@10V 1 N-channel N-Channel TO-251 Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Folha de Dados | ST STU8N80K5 |
| Conformidade RoHS | 3 documentos disponíveis |
| Peças alternativas | 10 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | ST | |
| Emb. | TO-251 | |
| Output Capacitance(Coss) | 50pF | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1pF | |
| RDS(on) | 800mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 450pF | |
| Gate Charge(Qg) | 16.5nC@10V | |
| Vgs | ±30V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | ST | |
| Emb. | TO-251 | |
| Output Capacitance(Coss) | 50pF | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1pF | |
| RDS(on) | 800mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 450pF | |
| Gate Charge(Qg) | 16.5nC@10V | |
| Vgs | ±30V | |
| Type | N-Channel |
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Descrição
Tradução por IA
These N-channel Zener-protected power MOSFETs are designed using STMicroelectronics' (ST) innovative avalanche-rugged ultra-high voltage SuperMESH™ 5 technology, based on an innovative proprietary vertical structure. This enables significantly reduced on-resistance and ultra-low gate charge, making them ideal for applications with extremely demanding power density and efficiency requirements.
Recursos
Tradução por IA
- Industry-best figure of merit (FOM)
- Ultra-low gate charge
- 100% avalanche tested
- Zener protection
Aplicações
Tradução por IA
- Switching applications
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| Qtd. | Preço unit.(Apenas para referência) | Valor total |
|---|---|---|
| 1+ | $ 1.5209 | $ 1.52 |
| 10+ | $ 1.271 | $ 12.71 |
| 30+ | $ 1.1353 | $ 34.06 |
| 100+ | $ 0.9795 | $ 97.95 |
| 500+ | $ 0.9116 | $ 455.80 |
| 1,000+ | $ 0.8808 | $ 880.80 |
| 2,000+ | $ 0.87 | $ 1740.00 |
| 4,000+ | $ 0.8623 | $ 3449.20 |
Encapsulamento Padrão75/Full Tube | ||
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | ST | |
| Emb. | TO-251 | |
| Output Capacitance(Coss) | 50pF | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1pF | |
| RDS(on) | 800mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 450pF | |
| Gate Charge(Qg) | 16.5nC@10V | |
| Vgs | ±30V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | ST | |
| Emb. | TO-251 | |
| Output Capacitance(Coss) | 50pF | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1pF | |
| RDS(on) | 800mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Input Capacitance(Ciss) | 450pF | |
| Gate Charge(Qg) | 16.5nC@10V | |
| Vgs | ±30V | |
| Type | N-Channel |
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Descrição
Tradução por IA
These N-channel Zener-protected power MOSFETs are designed using STMicroelectronics' (ST) innovative avalanche-rugged ultra-high voltage SuperMESH™ 5 technology, based on an innovative proprietary vertical structure. This enables significantly reduced on-resistance and ultra-low gate charge, making them ideal for applications with extremely demanding power density and efficiency requirements.
Recursos
Tradução por IA
- Industry-best figure of merit (FOM)
- Ultra-low gate charge
- 100% avalanche tested
- Zener protection
Aplicações
Tradução por IA
- Switching applications
C501073 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Peças alternativas
| MPN | Fabricante | Embalagem | Disponibilidade | Preço unitário | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| SiHU6N80E-VB | VBsemi Elec | TO-251 | 5 | $1.2498 $1.4703 | ||
| STU7N80K5 | ST | TO-251-3(IPAK) | 0 | $ 0.944 | ||
| STU6N90K5 | ST | IPAK(TO-251) | 0 | $ 1.3502 | ||
| TPU80R900M | WUXI UNIGROUP MICRO | TO-251-3 | 0 | $ 0.7344 | ||
| VBFB18R07S | VBsemi Elec | TO-251 | 0 | $ 2.0021 | ||
| TSM80N950CH C5G | Taiwan Semiconductor | TO-251(IPAK) | 0 | $ 3.3857 | ||
| IPU80R750P7AKMA1-ND | Infineon | TO-251 | 0 | $ 0.7839 | ||
| IPS80R750P7 | Infineon | TO-251-3 | 0 | $ 1.6156 | ||
| IPU80R750P7 | Infineon | TO-251-3 | 0 | $ 1.5644 | ||
| VBFB18R06S | VBsemi Elec | TO-251 | 0 | $ 1.4703 |