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Nexperia NHDTA114YTVL product image
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Nexperia NHDTA114YTVL

Fabricante
Nexperia
N.º de pieza fab.
NHDTA114YTVL
Nº LCSC
C3588801
Emb.
TO-236AB
Número de Cliente
Atrib. clave
80V 100 100mA 250mW PNP 1 PNP Pre-Biased TO-236AB Single, Pre-Biased Bipolar Transistors RoHS
Hoja de DatosNexperia NHDTA114YTVL
Cumplimiento RoHS1 documentos disponibles
Agotado
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Mínimo: 1Múltiplo: 1Unidad de venta: Piece
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Cant.Prec. unit.(Solo como referencia)Importo total
1+$ 0.0576$ 0.06
200+$ 0.0223$ 4.46
500+$ 0.0216$ 10.80
1,000+$ 0.0212$ 21.20
Encapsulado Estándar10000/Full Reel
¿Mejor precio por mayor cantidad?
$

Especificaciones del Producto

Todo
TipoDescripción
CategoríaDiscrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
FabricanteNexperia
Emb.TO-236AB
Current - Collector Cutoff100nA
Transition frequency(fT)150MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO80V
Emitter-Base Voltage VEBO7V
DC Current Gain100
Vce Saturation(VCE(sat))100mV@10mA,0.5mA
Current - Collector(Ic)100mA
Output Voltage(VO(on))-
Input Resistor10kΩ
Resistor Ratio4.7
Pd - Power Dissipation250mW
Voltage - Input(Max)(VI(off))-
Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce)-
Operating temperature-55℃~+150℃
typePNP
Number1 PNP Pre-Biased
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Descripción

Traducción por IA

A series of PNP resistor-equipped transistors (RET) in a compact SOT23 (TO-236AB) SMD plastic package.

Características

Traducción por IA
  • Output current capability up to 100 mA
  • High breakdown voltage
  • Built-in resistor
  • Simplified circuit design
  • Reduced component count
  • Lower assembly cost
  • AEC-Q101 qualified

Aplicaciones

Traducción por IA
  • Digital applications
  • Low-cost alternative to BC856 series in digital applications
  • Control IC inputs
  • Switching loads