RENESAS NE68018-T1-A

Fabricante	RENESAS
Cód. da peça	NE68018-T1-A
Nº LCSC	C3200360
Emb.	SOT-343
Número do Cliente
Atrib. princ.	10V 50 35mA NPN SOT-343 Single Bipolar Transistors RoHS

Especificações do Produto

Tudo

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	RENESAS
Emb.	SOT-343
Operating Temperature	-
Transition frequency(fT)	10GHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	10V
DC Current Gain	50
Pd - Power Dissipation	150mW
Current - Collector(Ic)	35mA
type	NPN

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	RENESAS
Emb.	SOT-343
Operating Temperature	-
Transition frequency(fT)	10GHz

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Mínimo: 1Múltiplo: 1Unidade de venda: Piece

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Qtd.	Preço unit.(Apenas para referência)	Valor total
1+	$ 4.2278	$ 4.23
200+	$ 1.6371	$ 327.42
500+	$ 1.5785	$ 789.25
1,000+	$ 1.5507	$ 1550.70
Encapsulamento Padrão3000/Full Reel

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Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	RENESAS
Emb.	SOT-343
Operating Temperature	-
Transition frequency(fT)	10GHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	10V
DC Current Gain	50
Pd - Power Dissipation	150mW
Current - Collector(Ic)	35mA
type	NPN

Tipo	Descrição
Categoria	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Fabricante	RENESAS
Emb.	SOT-343
Operating Temperature	-
Transition frequency(fT)	10GHz