VBsemi Elec AO3422-VB
| Produttore | VBsemi ElecAsian Brands |
| Cod. Prod. | AO3422-VB |
| Cod. LCSC | C709886 |
| Imballo | SOT-23(TO-236) |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-23(TO-236) |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec AO3422-VB |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | SOT-23(TO-236) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 22pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 180pF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.66W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 13pF | |
| RDS(on) | 75mΩ@10V;86mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 4.2nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | SOT-23(TO-236) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 22pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 180pF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 1.66W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 13pF | |
| RDS(on) | 75mΩ@10V;86mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 4.2nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | N-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Halogen-free per IEC 61249-2-21
- Trench power MOSFET
- 100% gate resistance (Rg) tested
- 100% unclamped inductive switching (UIS) tested
Applicazioni
Traduzione AI
- Battery Switch - DC/DC Converter
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | SOT-23(TO-236) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 22pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 180pF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.66W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 13pF | |
| RDS(on) | 75mΩ@10V;86mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 4.2nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | SOT-23(TO-236) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 22pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 180pF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 1.66W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 13pF | |
| RDS(on) | 75mΩ@10V;86mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 4.2nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | N-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Halogen-free per IEC 61249-2-21
- Trench power MOSFET
- 100% gate resistance (Rg) tested
- 100% unclamped inductive switching (UIS) tested
Applicazioni
Traduzione AI
- Battery Switch - DC/DC Converter
C709886 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |



